您好!歡迎光臨烜芯微科技品牌官網(wǎng)!
- 收藏?zé)@芯微
- 手機(jī)訪問
掃一掃訪問手機(jī)網(wǎng)站 - 在線留言
- 網(wǎng)站地圖
傳真:
18923864027
QQ:
709211280
地址:
深圳市福田區(qū)振中路84號愛華科研樓7層
nmos管防反接需不需要割地用MOS管作電路的防反接保護(hù),優(yōu)點是MOS管的飽和壓降很小,可以減小對電源電壓的損耗,適用于一些低壓電路的保護(hù),
直流電源輸入防反接保護(hù)電路匯總我們在設(shè)計一些終端設(shè)備時,比如一些電池供電的設(shè)備,工控類的一些現(xiàn)場終端設(shè)備等,這些設(shè)備在設(shè)計時都會有
NMOS低端開關(guān)電路知識詳解在數(shù)字電路中使用三極管就可以做開關(guān),但是一般是用于控制小信號。對于大電流,三極管發(fā)熱會比較嚴(yán)重。mos管因為
一個IIC的5V與3 3V電平轉(zhuǎn)換的經(jīng)典電路圖解在電平轉(zhuǎn)換器的操作中要考慮下面的三種狀態(tài):1沒有器件下拉總線線路。低電壓部分的總線線路通過上
介紹一種低成本電平轉(zhuǎn)換電路如上圖所示是常用的分立器件搭的電平轉(zhuǎn)換電路,具體工作過程如下:1、當(dāng)Net1輸出高電平時,MOS管Q1的Vgs=0,MOS
開關(guān)電源MOS開關(guān)損耗推導(dǎo)過程圖解電源工程師們都知道開關(guān)MOS在整個電源系統(tǒng)里面的損耗占比是不小的,開關(guān)mos的的損耗我們談及最多的就是開
MOS管功率損耗要如何測MOSFET IGBT的開關(guān)損耗測試是電源調(diào)試中非常關(guān)鍵的環(huán)節(jié),但很多工程師對開關(guān)損耗的測量還停留在人工計算的感性認(rèn)知上
如何給三極管基極,MOS管接?xùn)艠O接下拉電阻設(shè)計一個驅(qū)動繼電器(或者電磁閥、電機(jī))的電路,不算難吧?但是設(shè)計一個穩(wěn)定的電路有沒有信心?比
MOS管的分類與特點介紹功率MOSFET可分成兩類:P溝道及N溝道:中間箭頭向里的是N溝道而箭頭向外的是P溝道。它有三個極:漏極(D)。源極(S
MOS管的門極驅(qū)動電路知識詳解MOS管的門極驅(qū)動電路1、直接驅(qū)動電阻R1的作用是限流和抑制寄生振蕩,一般為10ohm到100ohm,R2是為關(guān)斷時提供放
MOS管GS之間并聯(lián)的電阻的真正作用介紹在mos管的驅(qū)動電路里,某些場合下,會看到這個電阻,在某些場合中,又沒有這個電阻 這個電阻的值比較常見
MOS管在GS兩端產(chǎn)生的振蕩波形如何消除我們很多時候都在波形,看輸入波形,MOS開關(guān)波形,電流波形,輸出二極管波形,芯片波形,MOS管的GS波