用MOS管作電路的防反接保護(hù)，優(yōu)點(diǎn)是MOS管的飽和壓降很小，可以減小對(duì)電源電壓的損耗，適用于一些低壓電路的保護(hù)，但MOS管的柵極輸入阻抗極高（可達(dá)數(shù)十MΩ級(jí)），若柵極處理不好，容易受各種干擾，導(dǎo)致MOS管關(guān)閉，使負(fù)載無(wú)法工作。

上圖是提問(wèn)者給的NMOS管防反接保護(hù)電路，這個(gè)電路中的NMOS管的柵極直接接電源正極，雖然電路簡(jiǎn)單，但可靠性不高，若管子的柵極在PCB板上的布線(xiàn)不合理，MOS管容易受干擾，從而影響負(fù)載的正常工作。另外，NMOS管在PCB板上布線(xiàn)時(shí)，該管應(yīng)接在被保護(hù)負(fù)載的地線(xiàn)上，不宜接在PCB板的總地線(xiàn)上，否則也會(huì)影響到NMOS管的正常工作。

由于MOS管的柵極輸入阻抗極高，為了提高抗干擾能力，采用NMOS管作為防反接保護(hù)時(shí)，最好像上圖所示電路那樣，在管子的柵極接兩個(gè)電阻來(lái)降低其輸入阻抗。R1一般選用幾KΩ電阻，R2選用大于100KΩ的電阻，這樣即可提高M(jìn)OS管的抗干擾能力。
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