反激拓?fù)潆娐返幕揪€路如下：
DC IN：市電經(jīng)過(guò)整流濾波后的直流輸入
Drive：控制芯片的驅(qū)動(dòng)信號(hào)，控制Q1進(jìn)行ON/OFF
CS：控制芯片對(duì)Q1電流的采樣
AGND：初級(jí)側(cè)的地
DC OUT：輸出
GND：次級(jí)側(cè)的地
2. 兩種工作模式DCM（斷續(xù)）與CCM（連續(xù)）
（1）DCM與CCM模式的判斷依據(jù)
DCM和CCM的判斷，并非只是單純按照初級(jí)電流是否連續(xù)來(lái)進(jìn)行判斷，而是要根據(jù)初，次級(jí)的電流合成來(lái)判斷的。只要初，次級(jí)電流不是同時(shí)為零，那就是CCM模式。二如果存在初，次級(jí)電流同時(shí)為零的狀態(tài)，那就是DCM模式。如果是介于兩者之間的，就是BCM模式。
（2）兩種模式在波形上的區(qū)別
A.變壓器初級(jí)電流波形，DCM模式是三角波而CCM模式是梯形波。
B.次級(jí)整流管電流波形，同理，DCM模式是三角波而CCM模式是梯形波。
C.MOS管的Vds波形，DCM模式下，在下一個(gè)周期開通前，Vds會(huì)從Vin+Vf這個(gè)平臺(tái)降下來(lái)發(fā)生阻尼震蕩（Vf次級(jí)反射到原邊的電壓）；CCM模式下，在下一個(gè)周期開通前，Vds一直維持在Vin+Vf的平臺(tái)上。
因此可以很容易從波形上看出來(lái)反擊電源是工作在DCM還是CCM狀態(tài)。
3. MOS管開通與關(guān)斷瞬間的Vds波形分析
（1）DCM模式
A. 從上面MOS管的波形可以看出，在MOS關(guān)斷時(shí)，MOS上的尖峰電壓遠(yuǎn)超過(guò)Vin+Vf， 這是因?yàn)樽儔浩鞯某跫?jí)有漏感Lk，漏感的能量是不會(huì)通過(guò)磁芯耦合到次級(jí)的。
MOS在關(guān)斷的過(guò)程中，漏感的電流也是不能突變的，而漏感的電流變化也會(huì)產(chǎn)生感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)， 這個(gè)感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)因?yàn)闊o(wú)法被次級(jí)耦合嵌位，所以電壓會(huì)沖得很高。
為了避免MOS管被這個(gè)尖峰電壓擊穿損壞，一般設(shè)計(jì)時(shí)會(huì)在初級(jí)側(cè)加上一個(gè)RCD吸收緩沖電路，把漏感的能量先存儲(chǔ)在電容(C)上，然后在通過(guò)電阻(R)消耗掉。
B. 當(dāng)變壓器次級(jí)電流降到零時(shí)，磁芯的能量已經(jīng)完全釋放了。那么因?yàn)榇渭?jí)整流管電流 降到了零，二極管也就自動(dòng)截止了，次級(jí)相當(dāng)于開路狀態(tài)，輸出電壓不在發(fā)射到初級(jí)。
由于此時(shí)的MOS管上Vds電壓高于輸入電壓Vin，所以在電壓差的作用下，MOS管的 結(jié)電容和初級(jí)點(diǎn)感發(fā)生諧振。諧振電流給MOS管的結(jié)電容放電。
Vds電壓開始下降， 經(jīng)過(guò)1/4個(gè)諧振周期后又開始上升。由于RCD嵌位電路以及其他寄生電阻的存在，這 個(gè)振蕩時(shí)個(gè)阻尼振蕩，幅度會(huì)越來(lái)越小。
（2）CCM模式
在CCM模式下，MOS管關(guān)斷的尖峰與DCM中產(chǎn)生的原理是一樣的，只是少了后面的振蕩而已。
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