超級(jí)結(jié)技術(shù)是專為配備600V以上擊穿電壓的高壓功率半導(dǎo)體器件而開發(fā)的，該技術(shù)已用于改善導(dǎo)通電阻與擊穿電壓之間的制衡。采用超級(jí)結(jié)技術(shù)有助于降低導(dǎo)通電阻并提高M(jìn)OSFET的開關(guān)速度。但隨著MOSFET開關(guān)速度的加快，封裝中的源級(jí)連接電感產(chǎn)生反電勢(shì)，開始對(duì)開關(guān)速度產(chǎn)生不利的影響，導(dǎo)通損耗隨之變大。
通過(guò)TO-247-4L封裝來(lái)解決這些問(wèn)題：
采用TO-247-4L封裝的超級(jí)結(jié)MOSFET可以解決這一問(wèn)題。4引腳TO-247-4L封裝具有柵極驅(qū)動(dòng)回路的開爾文源極連接，可以降低內(nèi)部源級(jí)連接電感的影響。因此，超級(jí)結(jié)MOSFET與4引腳TO-247-4L封裝組合是高速應(yīng)用的理想之選。
利用仿真技術(shù)分析TO-247-4L封裝的機(jī)制
利用SPICE仿真技術(shù)分析4引腳TO-247-4L封裝的機(jī)制。經(jīng)驗(yàn)證，3引腳TO-247封裝中產(chǎn)生的反電動(dòng)勢(shì)VLS并未在4引腳TO-247-4L封裝中產(chǎn)生。4引腳TO-247-4L封裝的柵極開關(guān)速度比3引腳TO-247封裝的柵極開關(guān)速度快。因此，4引腳TO-247-4L封裝有助于提高M(jìn)OSFET開關(guān)速度和降低導(dǎo)通損耗，關(guān)斷后還有助于抑制柵極振蕩。
我們采用了相同的MOSFET器件模型對(duì)4引腳TO-247-4L封裝和3引腳TO-247封裝進(jìn)行仿真。將源極引線分成兩部分，然后將這兩部分分別連接至柵極和漏極，從而對(duì)4引腳TO-247-4L封裝進(jìn)行建模，下面是3引腳TO-247封裝和4引腳TO-247-4L封裝的仿真模型。
TO-247-4L封裝有助于提高M(jìn)OSFET開關(guān)速度
利用仿真技術(shù)驗(yàn)證由于源極LSource生成反電動(dòng)勢(shì)VLS，通過(guò)MOSFET的電壓并不等于全部的驅(qū)動(dòng)電壓VDRV。MOSFET導(dǎo)通時(shí)3引腳封裝的反電動(dòng)勢(shì)VLS、柵極-源極VGS波形如下圖所示。
圖中用圓圈突出顯示的部分是LSource的實(shí)際電壓。該電壓降低了通過(guò)柵極和源極的電壓。因此，如3引腳封裝的VGS波形所示，導(dǎo)通后柵極電壓下降，降低了導(dǎo)通速度。而在4引腳封裝中，通過(guò)MOSFET的VGS電壓幾乎等于VDRV。因此，與3引腳封裝相比，4引腳封裝更有助于提高M(jìn)OSFET開關(guān)速度。
TO-247-4L封裝可以降低導(dǎo)通損耗
我們通過(guò)仿真和實(shí)際測(cè)量數(shù)據(jù)還驗(yàn)證了使用TO-247-4L封裝有助于降低導(dǎo)通損耗。下圖顯示了通過(guò)仿真和實(shí)際測(cè)量得出的漏極-源極電壓（VDS）和漏極電流（ID）。根據(jù)使用3引腳和4引腳模型得出的仿真結(jié)果推斷，4引腳封裝的開關(guān)速度更快。
此外，我們還借助實(shí)際測(cè)量結(jié)果對(duì)具有同樣額定電流的3引腳封裝TK62N60X和4引腳封裝TK62Z60X進(jìn)行了對(duì)比。結(jié)果證實(shí)，4引腳封裝比3引腳封裝的開關(guān)速度更快。導(dǎo)通損耗因提高開關(guān)速度降低了19%。
關(guān)斷TO-247-4L封裝有助于抑制柵極振蕩
關(guān)斷TO-247-4L封裝有助于抑制柵極振蕩TO-247-4L封裝除了可以降低導(dǎo)通損耗之外，關(guān)斷后還有助于抑制柵極振蕩。下圖顯示仿真結(jié)果，其展示MOSFET關(guān)斷時(shí)的VGS波形，VGS指4引腳TO-247-4L封裝電路中A和B間的電壓，4引腳封裝比3引腳封裝的柵極振蕩幅度更小。
利用仿真技術(shù)分析4引腳TO-247-4L封裝的機(jī)制并驗(yàn)證，3引腳TO-247封裝中產(chǎn)生的反電動(dòng)勢(shì)并未在4引腳TO-247-4L封裝中產(chǎn)生，4引腳TO-247-4L封裝的開關(guān)速度快，可以使導(dǎo)通損耗降低19%。仿真結(jié)果還顯示，采用4引腳TO-247-4L封裝可以抑制柵極振蕩。
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