二極管反向擊穿電壓一般是工作電壓2-3倍。
二極管反向擊穿時的電壓值。擊穿時反向電流劇增，二極管的單向導電性被破壞，甚至過熱而燒壞。手冊上給出的最高反向工作電壓VBWM一般是VBR的一半。
反向擊穿電壓
外加反向電壓超過某一數(shù)值時，反向電流會突然增大，這種現(xiàn)象稱為電擊穿。引起電擊穿的臨界電壓稱為二極管反向擊穿電壓。電擊穿時二極管失去單向導電性。
如果二極管沒有因電擊穿而引起過熱，則單向導電性不一定會被永久破壞，在撤除外加電壓后，其性能仍可恢復，否則二極管就損壞了。因而使用時應避免二極管外加的反向電壓過高。
PN結二極管的反向擊穿
產(chǎn)生環(huán)境
反向擊穿的現(xiàn)象發(fā)生在很多情況下面，比如二極管，三極管等等。
以二極管為例：二極管是正向導通的，二極管兩端加反向電壓時，電子不能通過二極管，使得二極管相當于斷路，但是這個斷路取決于把二極管反向接時，二極管兩端的電壓（即反向電壓），如果這個反向電壓足夠大，二極管就被擊穿了（你可以認為變成導線了），此時這個擊穿的反向電壓就叫反向擊穿電壓。
也可以從字面做感性的理解：反向擊穿，反向，即為方向相反，就是說反著接。
擊穿，你可以認為原來這是一堵墻，是一條死胡同，不讓人通過，擊穿了所有人就能通過了（聯(lián)想一下電流），亦可以理解為高低河岸流而不能倒流，除非有超過河床高度的水流通過。
以下給出二極管反向擊穿電壓的理性定義：外加反向電壓超過某一數(shù)值時，反向電流會突然增大，這種現(xiàn)象稱為電擊穿。引起電擊穿的臨界電壓稱為二極管反向擊穿電壓。電擊穿時二極管失去單向導電性。
如果二極管沒有因電擊穿而引起過熱，則單向導電性不一定會被永久破壞，在撤除外加電壓后，其性能仍可恢復，否則二極管就損壞了。因而使用時應避免二極管外加的反向電壓過高。
快恢復二極管的反向恢復特性
二極管的反向特性。在電子電路中，二極管的正極接在低電位端，負極接在高電位端，此時二極管中幾乎沒有電流流過，此時二極管處于截止狀態(tài)，這種連接方式，稱為反向偏置。
二極管處于反向偏置時，仍然會有微弱的反向電流流過二極管，稱為漏電流。當普通二極管兩端的反向電壓增大到某一數(shù)值，反向電流會急劇增大，二極管將失去單方向導電特性，二極管會反向熱擊穿而損壞。
快恢復二極管的反向恢復特性決定著功率變換器的性能，在雙極功率晶體管的電流下降時間大于1us(開通時間約100ns)時期，二極管的反向恢復在雙極功率晶體管的開通過程中完成，而且雙極功率晶體管達到額定集電極電流的1/2-2/3左右后隨著Ic上升Hfe急劇下降，限制了二極管的反向恢復電流的峰值，在某種意義上，也限制了di/dt，雙極功率晶體管的開通過程掩蓋了二極管的反向恢復特性，因而對二極管的反向恢復僅僅是反向恢復時間提出要求。
隨著功率半導體器件的開關速度提高，特別是Power MOSFET、高速IGBT的出現(xiàn)，不僅開通速度快(可以在數(shù)十納秒內將MOSFET徹底導通或關斷)，而且在額定驅動條件下，其漏極/集電極電流可以達到額定值的5-10倍，使MOS或IGBT在開通過程中產(chǎn)生高的反向恢復峰值電流IRRM，同時MOS或IGBT在開通過程結束后二極管的反向恢復過程仍然存在，使二極管的反向恢復特性完全暴露出來，高的IRRM、di/dt使開關管和快速二極管本身受到高峰值電流沖擊并產(chǎn)生較高的EMT。
因而對二極管的反向恢復特性不僅僅限于反向恢復時間短，而且要求反向恢復電流峰值盡可能低，反向恢復電流的下降，上升的速率盡可能低，即超快、超軟以降低開關過程中反向恢復電流對開關電流的沖擊，減小開關過程的EMI。
當快恢復二極管正向導通電流時，將從陽極和陰極注入大量載流子，并在基區(qū)以少數(shù)載流子的形式儲存電荷，即從陽極注入的空穴以少子的形式在基區(qū)存儲電荷。
但當電路中導通的快恢復二極管因外加反向電壓使其換向時，要實現(xiàn)快恢復二極管的“斷態(tài)”，必須把快恢復二極管導通時在基區(qū)儲存的大量少數(shù)戴流子完全抽出或者中和掉，這就需要一定時間才能使快恢復二極管恢復反向阻斷能力，這時間就定為快恢復二極管的反向恢復時間trr。
如圖1所示，由圖可見，快恢復二極管的主要關斷特性參數(shù)為：反向恢復時間trr，反向峰值電流IRRM，反向恢復電荷Qrr以及反向電流衰減率（dirr/dt），圖亦顯示了快恢復二極管從正向導通到反向恢復的全過程，圖中，反向恢復時間trr=ta+tb，ta表示少數(shù)戴流子的存儲時間，而tb表示少數(shù)戴流子的復合時間；
而且trr應盡量短，這就是超快恢復的要求，且ta應盡量小于tb，ta期間快恢復二極管還沒有恢復反向阻斷能力，器件加不了反向電壓，而tb期間，反向阻斷能力開始恢復，這段時間內反向電流恢復率（dirr/dt）連同電路中的寄生電感將產(chǎn)生過電壓尖峰和高頻干擾電壓，dirr/dt越高（即硬恢復）對快恢復二極管本身和與其并聯(lián)的開關器件所作用的附加電應力就越大，有時甚至使開關器件損壞，必須引起注意。
而緩慢的反向電流恢復率dirr/dt（即軟恢復）是最合乎需要的特性曲線，通常用軟度因子S=tb/ta來表示器件的反向恢復曲線的軟度，因此，選用反向恢復時間trr短，反向峰值電流IRM小，反向恢復電荷Qrr小以及反向恢復特性軟的FRED管是逆變電路中最合適的，同時也可降低逆變電路中快恢復二極管和開關器件的功耗。
圖1 FRED導通和關斷期間的電流、電壓波形圖
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