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  • MOS管電源開關(guān)電路軟啟動分析
    • 發(fā)布時間:2022-04-27 22:32:24
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    MOS管電源開關(guān)電路軟啟動分析
    電源開關(guān)電路,經(jīng)常用在各“功能模塊”電路的電源通斷控制,是常用電路之一。本文要講解的電源開關(guān)電路,是用MOS管實現(xiàn)的,且?guī)к涢_啟功能,非常經(jīng)典。
    一、電路說明電源開關(guān)電路,尤其是MOS管電源開關(guān)電路,經(jīng)常用在各“功能模塊”電路的電源通斷控制,如下框圖所示:
    MOS管電源開關(guān)電路軟啟動
    框圖中“1個MOS管符號”代表“1個完整的MOS管電源開關(guān)電路”在設(shè)計時,只要增加一個電容(C1),一個電阻(R2),就可以實現(xiàn)軟開啟(soft start)功能。
    軟開啟,是指電源緩慢開啟,以限制電源啟動時的浪涌電流。在沒有做軟開啟時,電源電壓的上升會比較陡峭。
    加入軟開啟功能后,電源開關(guān)會慢慢打開,電源電壓也就會慢慢上升,上升沿會比較平緩。
    浪涌電流可能會令電源系統(tǒng)突然不堪重負(fù)而掉電,導(dǎo)致系統(tǒng)不穩(wěn)定。嚴(yán)重的可能會損壞電路上的元器件。
    電源上電過快過急,負(fù)載瞬間加電,會突然索取非常大的電流。
    比如在電源電壓是5V,負(fù)載是個大容量電容的時候,電源瞬間開啟令電壓瞬間上升達(dá)到5V,電容充電電流會非常大。如果同樣的時間內(nèi)電源電壓只上升到2.5V,那么電流就小得多了。
    下面從數(shù)學(xué)上分析一下。電量 = 電容容量 * 電容兩端的電壓,即:Q = C * U同時 電量 = 電流 * 時間,即:Q = I * t所以電流:I = (CU) / t從公式可以看出,當(dāng)電容容量越大,電壓越高,時間越短,電流就會越大,從而形成浪涌電流。大電容只是形成浪涌電流的原因之一,其他負(fù)載也會引起浪涌電流。
    二、原理分析
    1、控制電源開關(guān)的輸入信號 Control 為低電平或高阻時,三極管Q2的基極被拉低到地,為低電平,Q2不導(dǎo)通,進(jìn)而MOS管Q1的Vgs = 0,MOS管Q1不導(dǎo)通,+5V_OUT 無輸出。
    電阻R4是為了在 Control 為高阻時,將三極管Q2的基極固定在低電平,不讓其浮空。
    2、當(dāng)電源 +5V_IN 剛上電時,要求控制電源開關(guān)的輸入信號 Control 為低電平或高阻,即關(guān)閉三極管Q2,從而關(guān)閉MOS管Q1。因 +5V_IN 還不穩(wěn)定,不能將電源打開向后級電路輸出。
    此時電源 +5V_IN 剛上電,使MOS管G極與S極等電勢,即Vgs = 0,令Q1關(guān)閉。
    3、電源 +5V_IN 上電完成后,MOS管G極與S極兩端均為5V,仍然Vgs = 0。
    4、此時將 Control 設(shè)為高電平(假設(shè)高電平為3.3V),則:
    ①三極管Q2的基極為0.7V,可算出基極電流Ibe為:
    (3.3V - 0.7V) / 基極電阻R3 = 0.26mA②三級管Q2飽和導(dǎo)通,Vce ≈ 0。電容C1通過電阻R2充電,即C1與G極相連端的電壓由5V緩慢下降到0V,導(dǎo)致Vgs電壓逐漸增大。
    ③MOS管Q1的Vgs緩慢增大,令其緩慢打開直至完全打開。最終Vgs = -5V。
    ④利用電容C1的充電時間實現(xiàn)了MOS管Q1的緩慢打開(導(dǎo)通),實現(xiàn)了軟開啟的功能。
    5、電源打開后,+5V_OUT 輸出為5V電壓。此時將 Control 設(shè)為低電平,三極管Q2關(guān)閉,電容C1與G極相連端通過電阻R2放電,電壓逐漸上升到5V,起到軟關(guān)閉的效果。
    軟關(guān)閉一般不是我們想要的,過慢地關(guān)閉電源,可能出現(xiàn)系統(tǒng)不穩(wěn)定等異常。過慢地開啟和關(guān)閉電源都可能導(dǎo)致電路系統(tǒng)異常,這個MOS管電源開關(guān)電路及其參數(shù)已經(jīng)過大批量使用驗證,一般情況下可以直接照搬使用。
    三、電路參數(shù)設(shè)定說明調(diào)整C1、R2的值,可以修改軟啟動的時間。值增大,則時間變長。反之亦然。如果不想使用軟開啟功能,直接不上件電容C1即可。
    使用原理圖中所標(biāo)型號的MOS管,通過的電流最好不要超過1.75A,留至少30%的余量,并且要注意散熱。余量是否足夠,跟MOS管的溫度有關(guān),應(yīng)用時要注意做好實驗驗證。
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