電源IC的功率損耗計算示例（內(nèi)置MOSFET的同步整流型IC）
圖中給出了從“電源IC的損耗”這個角度考慮時相關的部分。本次以輸出段的MOSFET內(nèi)置型IC為例進行說明。相關內(nèi)容見圖中藍色所示部分。電感除外（因為電感是外置的）。如果計算此前的說明中使用的控制器型IC的損耗的話，是不包括MOSFET和電感損耗的。
要計算損耗時，需要有單獨計算時公式各項相應的值。原則上使用技術規(guī)格書中給出的值。
一般情況下，技術規(guī)格書的標準值（即IC參數(shù)的值）中，包括最小值、典型值、最大值。有些參數(shù)只有最小值或最大值，或只有典型值，并非所有的參數(shù)都具備這三種值。
關于應該使用這些值的哪個值，可能會有不同的看法，但我認為應該考慮到值的變化/波動，計算最差條件下的損耗。
此次將使用右側給出的值。這些均是以最差條件為前提的值。計算步驟是先按照每種損耗的公式計算各自的損耗，然后再將損耗結果相加。
在本示例中，電源IC的功率損耗約為1W。只要用于計算的數(shù)據(jù)完整，功率損耗計算并不難。
關鍵要點：
電源IC的功率損耗是單個損耗的總和。
關于計算所用的值，雖然有很多種看法，但應該通過計算最差條件下的損耗進行確認。
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