半導(dǎo)體
半導(dǎo)體分為本征半導(dǎo)體和雜質(zhì)半導(dǎo)體
1. 本征半導(dǎo)體：化學(xué)成分純凈的半導(dǎo)體，物理結(jié)構(gòu)呈單晶體形態(tài)。
2. 雜質(zhì)半導(dǎo)體：在本征半導(dǎo)體中摻入某些微量元素作為雜質(zhì)，可使半導(dǎo)體的導(dǎo)電性發(fā)生顯著變化。摻入的雜質(zhì)主要是三價(jià)或五價(jià)元素，摻入雜質(zhì)的本征半導(dǎo)體稱(chēng)為雜質(zhì)半導(dǎo)體。
空穴——共價(jià)鍵中的空位，
電子–空穴對(duì)——由熱激發(fā)而產(chǎn)生的自由電子和空穴對(duì)。
空穴的移動(dòng)——空穴的運(yùn)動(dòng)是靠相鄰共價(jià)鍵中的價(jià)電子依次充填空穴來(lái)實(shí)現(xiàn)的。
自由電子和空穴都稱(chēng)為載流子
首先我們要來(lái)了解PN結(jié)
P型半導(dǎo)體——摻入三價(jià)雜質(zhì)元素（如硼）的半導(dǎo)體。
N型半導(dǎo)體——摻入五價(jià)雜質(zhì)元素（如磷）的半導(dǎo)體。
P型材料：
多數(shù)載流子為空穴，少子為自由電子；
N型材料：
多數(shù)載流子為自由電子，少子為空穴。
共價(jià)鍵中的兩個(gè)電子稱(chēng)為價(jià)電子，其中某個(gè)價(jià)電子的離開(kāi)或缺失就會(huì)在原來(lái)的位置上形成空穴。
所以。。。
P型半導(dǎo)體中空穴是多數(shù)載流子，主要由摻雜形成；
P型半導(dǎo)體中自由電子是少數(shù)載流子，由熱激發(fā)形成。
空穴很容易俘獲電子，使雜質(zhì)原子成為負(fù)離子。
三價(jià)雜質(zhì)原子因而也稱(chēng)為受主雜質(zhì)。
N型半導(dǎo)體中自由電子是多數(shù)載流子，由雜質(zhì)原子提供；
N型半導(dǎo)體中空穴是少數(shù)載流子，由熱激發(fā)形成。
提供自由電子的五價(jià)雜質(zhì)原子因?yàn)閹д姾啥蔀檎x子
五價(jià)雜質(zhì)原子也稱(chēng)為施主雜質(zhì)。
漂移運(yùn)動(dòng)：
在電場(chǎng)作用引起的載流子的運(yùn)動(dòng)稱(chēng)為漂移運(yùn)動(dòng)。
擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)：
由載流子濃度差引起的載流子的運(yùn)動(dòng)稱(chēng)為擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。
PN結(jié)的形成
在一塊本征半導(dǎo)體兩側(cè)摻入不同的雜質(zhì)，分別形成N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體。
此時(shí)將在N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體的結(jié)合面上形成如下物理過(guò)程:
PN結(jié)的單向?qū)щ娦?/div>
當(dāng)外加電壓使PN結(jié)中P區(qū)的電位高于N區(qū)的電位,稱(chēng)為加正向電壓,簡(jiǎn)稱(chēng)正偏;反之稱(chēng)為加反向電壓,簡(jiǎn)稱(chēng)反偏
PN結(jié)外加正向電壓時(shí)表現(xiàn)為低電阻，大的正向擴(kuò)散電流
PN結(jié)外加反向電壓時(shí)表現(xiàn)為高電阻，很小的反向漂移電流
這里再提一次
漂移運(yùn)動(dòng)：
在電場(chǎng)作用引起的載流子的運(yùn)動(dòng)稱(chēng)為漂移運(yùn)動(dòng)。
擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)：
由載流子濃度差引起的載流子的運(yùn)動(dòng)稱(chēng)為擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。
另外。。
PN結(jié)對(duì)的伏安特性
這里我們討論電壓反向的情況。。
一定溫度下，由本征激發(fā)決定的少子濃度一定，故少子形成的漂移電流恒定，基本與所加反向電壓大小無(wú)關(guān)，稱(chēng)為反向飽和電流。
PN結(jié)的反向電壓增加到一定數(shù)值時(shí)，反向電流突然快速增加，此現(xiàn)象稱(chēng)為PN結(jié)的反向擊穿。
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