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場(chǎng)效應(yīng)管特點(diǎn)與基礎(chǔ)知識(shí)
  • 發(fā)布時(shí)間:2021-03-17 16:08:46
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場(chǎng)效應(yīng)管特點(diǎn)與基礎(chǔ)知識(shí)
場(chǎng)效應(yīng)晶體管又稱為場(chǎng)效應(yīng)管,縮寫FET,場(chǎng)效應(yīng)管是一種半導(dǎo)體放大器件。場(chǎng)效應(yīng)管不僅具有晶體管體積小、省電、耐用等優(yōu)點(diǎn)。更具有輸入阻抗高、噪聲小、熱穩(wěn)定性好、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)。
場(chǎng)效應(yīng)管
場(chǎng)效應(yīng)管的作用
1、 場(chǎng)效應(yīng)管可以用作電子開關(guān)。
2、 場(chǎng)效應(yīng)管可用作有源可變電阻。
3、 場(chǎng)效應(yīng)管可用于放大。由于場(chǎng)效應(yīng)管放大器輸入阻抗非常高,耦合電容可以較小,不必使用電解電容,從而可以降低電路成本減小電路噪聲。
場(chǎng)效應(yīng)管與三極管的比較
1、 場(chǎng)效應(yīng)管可以像三極管一樣接成3種放大器:共源極放大器、共柵極放大器和共漏極放大器。
2、 場(chǎng)效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓條件下工作,而且它的制造可以很方便把多個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管集成在一塊硅片上,因此場(chǎng)效應(yīng)管在大規(guī)模集成電路中得到廣泛應(yīng)用。
3、 場(chǎng)效應(yīng)是電壓控制器件,三極管是電流控制器件,只允許從信號(hào)源取得較少的電流的情況下,應(yīng)選擇場(chǎng)效應(yīng)管,而在信號(hào)電壓較少又允許從信號(hào)源取得較多電流的條件下,應(yīng)選擇三極管。
4、 場(chǎng)效應(yīng)管的噪聲系數(shù)小,在高性能的前級(jí)放大器中采用場(chǎng)效應(yīng)管作為放大器件。
5、 場(chǎng)效應(yīng)管的缺點(diǎn)是工作頻率不夠高。絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管易受外界感應(yīng)電荷的影響而被擊穿,這使得場(chǎng)效應(yīng)管在拆、裝過程中不夠方便。通常要采取保護(hù)措施,引腳用套管套起來(lái),使各電極連接在一起。
場(chǎng)效應(yīng)應(yīng)用電壓的極性和我們用的普通的三極管相同,N溝道的類似NPN型三極管,漏極D接正極,源極S接負(fù)極,柵極G接正電壓時(shí)導(dǎo)電溝道建立,N溝道場(chǎng)效應(yīng)管導(dǎo)通開始工作。
同樣P溝道的類似PNP三極管,漏極D接負(fù)極,源極S接正極,柵極G負(fù)電壓時(shí)導(dǎo)電溝道建立開始工作。
場(chǎng)效應(yīng)管
大功率的場(chǎng)效應(yīng)管和大功率的三極管相比,輸入阻抗高,驅(qū)動(dòng)功率小,柵源極之間的直流電阻基本上非常大,大約是100兆歐左右,交流輸入阻抗基本上就是輸入電容的容抗。由于輸入阻抗高,所以有電壓就可以驅(qū)動(dòng),所以輸入功率很小。普通的晶體三極管必須有基極電壓和基極電流,才能驅(qū)動(dòng)集電極電流的產(chǎn)生。
場(chǎng)效應(yīng)管的開關(guān)速度和輸入電容特性有很大關(guān)系,由于輸入容性特性的存在,使得開關(guān)的速度變慢,但是在作為開關(guān)使用時(shí),可以降低驅(qū)動(dòng)電路內(nèi)阻,加快開關(guān)速度(增大電流加快電容的充放電的速度)場(chǎng)效應(yīng)管只靠多子導(dǎo)電,不存在少子儲(chǔ)存效應(yīng),因而關(guān)斷過程非??欤_關(guān)時(shí)間在10-100ns之間,工作頻率可達(dá)到100KHz以上,在普通的晶體三極管是由于少數(shù)載流子的儲(chǔ)存效應(yīng),使得開關(guān)總有滯后現(xiàn)象,影響開關(guān)速度。
場(chǎng)效應(yīng)管導(dǎo)通后特性呈純阻性,普通三極管在飽和導(dǎo)通時(shí),幾乎是直通,有一個(gè)極低的壓降,稱為飽和壓降,導(dǎo)通后等效是一個(gè)阻值極小的電阻,但是這個(gè)等效的電阻是一個(gè)非線性的電阻(電阻上的電壓和流過的電流不能契合歐姆定律),而場(chǎng)效應(yīng)管在飽和導(dǎo)通后也存在一個(gè)阻值極小的電阻,但是這個(gè)電阻等效成一個(gè)線性的電阻(電阻的阻值和兩端的電壓降和流過的電流契合 歐姆定律,電流大壓降大,電流小壓降?。?/div>
場(chǎng)效應(yīng)管作為開關(guān)管時(shí)驅(qū)動(dòng)的電路
場(chǎng)效應(yīng)管和普通晶體管相比,有非常多的優(yōu)點(diǎn),但是在作為大功率開關(guān)管應(yīng)用時(shí),由于場(chǎng)效應(yīng)管具有容性輸入的特性,場(chǎng)效應(yīng)管的輸入端,GS極之間等效并聯(lián)了一個(gè)電容,輸入的開關(guān)信號(hào),就是對(duì)電容的充放電過程,在充放電的過程中,使得場(chǎng)效應(yīng)管的導(dǎo)通和關(guān)斷產(chǎn)生了滯后,使得開關(guān)的過程變慢,這是不允許的。(開和關(guān)的速度慢,就會(huì)導(dǎo)致功耗增大,場(chǎng)效應(yīng)管的溫度增大,有可能燒毀場(chǎng)效應(yīng)管)。a為正常的驅(qū)動(dòng)方波波形,通過電阻后要對(duì)場(chǎng)效應(yīng)管寄生電容充電使得輸入的電壓波形b發(fā)了畸變。如下圖R是限流電阻,C是場(chǎng)效應(yīng)管寄生電容,通常使得電阻R足夠的小以增大流過的電流,能夠使得電容快速的充電和放電,這樣場(chǎng)效應(yīng)管的開和關(guān)就能很快速的完成,這個(gè)電阻并不是越小越好,太小電流過大容易燒毀場(chǎng)效應(yīng)管,這個(gè)限流電阻的選取要根據(jù)場(chǎng)效應(yīng)管內(nèi)部寄生的電容的的小來(lái)選取一般數(shù)十歐姆到一百多歐姆之間。
由于這個(gè)限流電阻R的增加,使得在場(chǎng)效應(yīng)管在關(guān)斷的時(shí)候變慢(內(nèi)部的電容要通過限流電阻R放電)速度受到限制,使得開關(guān)特性變壞,為了使得R的阻值在放電時(shí)候不影響放電速度,可以在R上并聯(lián)一個(gè)二極管構(gòu)成放電通路,加快放電的速度,使得開關(guān)速度疾馳。
場(chǎng)效應(yīng)管
場(chǎng)效應(yīng)管在電路應(yīng)用中(以N溝道場(chǎng)效應(yīng)管為例),下拉電阻也是非常重要的,在場(chǎng)效應(yīng)管做開關(guān)應(yīng)用的時(shí)候,如果G柵極懸空那就呈現(xiàn)為高阻態(tài),那么上面的電壓狀態(tài)是不確定的有可能是高電平,也有可能是低電平,因?yàn)閳?chǎng)效應(yīng)管輸入阻抗高,所以靜電或者感應(yīng)電壓就會(huì)使得場(chǎng)效應(yīng)管動(dòng)作,并有可能損壞場(chǎng)效應(yīng)管,同時(shí)場(chǎng)效應(yīng)管不僅僅GS之間寄生電容,DS之間和GD之間都寄生的有電容,如果G柵極在沒有電路的控制之下,直接在D漏極和S源極直接加上正電壓,這時(shí)D漏極的正向電壓就有可能通過GD寄生電容加到G柵極,使得在沒有控制電壓的情況下使得場(chǎng)效應(yīng)管導(dǎo)通,并擊穿場(chǎng)效應(yīng)管從而對(duì)后面的電路造成更大的傷害。如果有了下拉電阻,就減小了輸入阻抗,同時(shí)也為G柵極提供了通路,使得上面的靜電或感應(yīng)電壓有了一個(gè)泄放的通路,也給GS之間寄生的電容提供了一個(gè)放電的通路,而不會(huì)再使得場(chǎng)效應(yīng)管誤作。
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