您好!歡迎光臨烜芯微科技品牌官網(wǎng)!

深圳市烜芯微科技有限公司

ShenZhen XuanXinWei Technoligy Co.,Ltd
二極管、三極管、MOS管、橋堆

全國服務(wù)熱線:18923864027

  • 熱門關(guān)鍵詞:
  • 橋堆
  • 場效應(yīng)管
  • 三極管
  • 二極管
  • 三極管電路的一些匯總
    • 發(fā)布時間:2021-03-02 14:13:28
    • 來源:
    • 閱讀次數(shù):
    三極管電路的一些匯總
    在嵌入式電路設(shè)計中包含模擬電路設(shè)計成分比較少,常用的模擬器件大部分為二極管、晶體管。本人現(xiàn)將嵌入式電路中晶體管所組成電路總結(jié)一下,以達到鞏固目的。
    開關(guān)器件
    在嵌入式電路中經(jīng)常使用IO口來控制某些電路的開關(guān)功能,此時三極管可作為開關(guān)器件來使用。作為開關(guān)器件使用時需使用開關(guān)三極管如9014和9015等小功率器件,此時三極管處于飽和狀態(tài)?,F(xiàn)舉一例來說明該類電路特點:
    三極管電路
    為仿真電路圖不是很完整,該電路為晶振關(guān)閉功能電路,其中VO接MCU晶振輸入端如(XIN)。
    若Q1和Q3基極同時為低時,Q2導(dǎo)通而使得VO為0造成晶振停振關(guān)閉處理器。我們分析R3和R4(實際電路470K)使得Q2和Q3處于飽和態(tài);Q3為Q1集電極負載,調(diào)整R5阻值時可控制Q1處于飽和態(tài)或放大態(tài)。要使Q2基極導(dǎo)通必須使Q1提供足夠大電流才滿足條件,只有Q1處于放大態(tài)才滿足條件;
    R5=100K時,仿真圖如下:
    三極管電路
    R5=470K時,仿真圖如下:
    三極管電路
    通過以上分析可以得出只有當電流足夠大時才能使Q2導(dǎo)通而關(guān)閉晶振,以上是一個較復(fù)雜的組合開關(guān)電路。
    功率器件
    在嵌入式電路設(shè)計中,很少使用到功率放大電路,昨天將大學模電教材晶體管內(nèi)容通讀后有所感悟,雖然當時模電自認為學的不錯但重讀之后才發(fā)現(xiàn)當時只是死記硬背而沒有真正領(lǐng)悟。
    靜態(tài)工作點不但決定是否會失真,而且還影響電壓放大倍數(shù)、輸入電阻等動態(tài)參數(shù)。然而在實際電路中由于環(huán)境溫度的變化而使得靜態(tài)工作點補穩(wěn)定,從而使得動態(tài)參數(shù)不穩(wěn)定,更嚴重可能造成電路不能正常工作;在所有環(huán)境因素中,溫度對動態(tài)參數(shù)的影響是最大的。
    當溫度升高時,晶體管放大倍數(shù)變大且ICE明顯變大。以共射極電路為例,當溫度升高時將使Q點向飽和區(qū)域移動;當溫度降低時將使Q點向截止區(qū)域移動。
    下圖是典型的靜態(tài)工作點電路
    三極管電路
    圖AB均有相同的等效直流電路。為了穩(wěn)定Q工作點,通常要滿足I1>>IBQ而使得
    VBQ =Rb1*VCC/ Rb2+ Rb1
    通過這樣設(shè)計使得無論環(huán)境溫度怎么變化,VBQ將基本保持不變。
    當溫度升高時ICE變大,而使得VEQ變大,因VBE=VBQ – VEQ所以VBE將變小;由于VBE變小故IBE也將變小,從而ICE將變小。
    RE的使用將直流負反饋引入使得Q工作點越穩(wěn)定,一般而言是反饋越強,Q點越穩(wěn)定。
    其他穩(wěn)定Q工作點電路
    三極管電路
    以上為利用二極管方向特性和正向特性進行溫度補償?shù)碾娐贰?/div>
    對圖A而言,因為IRB=ID+IBE,當溫度上升時ICE和ID變大(方向電流隨溫度升高變大),這樣將使得IBE減小而造成ICE減小。
    烜芯微專業(yè)制造二極管,三極管,MOS管,橋堆等,20年,工廠直銷省20%,1500家電路電器生產(chǎn)企業(yè)選用,專業(yè)的工程師幫您穩(wěn)定好每一批產(chǎn)品,如果您有遇到什么需要幫助解決的,可以直接聯(lián)系上方的聯(lián)系號碼或加QQ,由我們的銷售經(jīng)理給您精準的報價以及產(chǎn)品介紹
    相關(guān)閱讀