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低邊驅(qū)動(dòng)以及高邊驅(qū)動(dòng)
  • 發(fā)布時(shí)間:2021-01-18 18:18:08
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低邊驅(qū)動(dòng)以及高邊驅(qū)動(dòng)
高邊指電源,低邊指地,高邊驅(qū)動(dòng)和低邊驅(qū)動(dòng)是用來(lái)調(diào)試功率的,以驅(qū)動(dòng)負(fù)載。
高邊驅(qū)動(dòng):開關(guān)位于電源和負(fù)載之間; 低邊驅(qū)動(dòng):開關(guān)位于負(fù)載和地之間。
通俗的來(lái)講,高邊驅(qū)動(dòng)(HSD)是指通過(guò)直接在用電器或者驅(qū)動(dòng)裝置前通過(guò)在電源線閉合開關(guān)來(lái)實(shí)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)裝置的使能,而低邊驅(qū)動(dòng)(LSD)則是通過(guò)在用電器或者驅(qū)動(dòng)裝置后,通過(guò)閉合地線來(lái)實(shí)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)裝置使能。
高邊驅(qū)動(dòng):形象點(diǎn)說(shuō),像在電路的電源端加了一個(gè)可控開關(guān)。高邊驅(qū)動(dòng)就是控制這個(gè)開關(guān)開關(guān)。低邊驅(qū)動(dòng):形象點(diǎn)說(shuō),像在電路的接地端加了一個(gè)可控開關(guān)。低邊驅(qū)動(dòng)就是控制這個(gè)開關(guān)開關(guān)。
高邊驅(qū)動(dòng)特點(diǎn):適用于精密裝置的儀器,高邊開關(guān)(一般是MOSFET開關(guān))驅(qū)動(dòng)復(fù)雜一點(diǎn)、布線成本低,一般采用高邊驅(qū)動(dòng)的話就得增加自舉電路。
低邊驅(qū)動(dòng)特點(diǎn):低邊驅(qū)動(dòng)比較容易實(shí)現(xiàn)(電路也比較簡(jiǎn)單,一般由MOS管加幾個(gè)電阻、電容)、適用電路簡(jiǎn)化和成本控制的情況。
關(guān)于自舉電路:目的是為了讓GS保持一定的壓降,以確保穩(wěn)定、連續(xù)的開關(guān),要是高側(cè)mos的Vgs電壓能滿足要求就不需要加自舉電路,自舉電路只是在單電源供電時(shí),高側(cè)Vgs打不到控制要求而做的,當(dāng)使用隔離電源控制就不需要自舉。
自舉電路也叫升壓電路,利用自舉升壓二極管、自舉升壓電容等電子元件,使電容放電電壓和電源電壓疊加,從而使電壓升高。有的電路升高的電壓能達(dá)到數(shù)倍電源電壓。
自舉電路通常用在高壓驅(qū)動(dòng)的場(chǎng)合中,通常用一個(gè)電容和一個(gè)二極管,電容存儲(chǔ)電壓,二極管防止電流倒灌,頻率較高的時(shí)候,自舉電路的電壓就是電路輸入的電壓加上電容上的電壓,起到升壓的作用。
自舉電容:電壓不能突變,通過(guò)充電放電的過(guò)程而產(chǎn)生電壓自舉、電位自舉作用的。自舉電容的充電的時(shí)間快,只要保持時(shí)間足夠,占空比可達(dá)到95%。   
自舉二極管:利用其單向?qū)щ娦酝瓿呻娢化B加自舉,二極管導(dǎo)通時(shí),電容充電到U1 ,二極管截止時(shí),電路通過(guò)電容放電時(shí)U1與電路串聯(lián)疊加自舉。
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