您好!歡迎光臨烜芯微科技品牌官網(wǎng)!

深圳市烜芯微科技有限公司

ShenZhen XuanXinWei Technoligy Co.,Ltd
二極管、三極管、MOS管、橋堆

全國服務(wù)熱線:18923864027

  • 熱門關(guān)鍵詞:
  • 橋堆
  • 場效應(yīng)管
  • 三極管
  • 二極管
  • MOS管知識-MOS管的導(dǎo)通過程與損耗分析詳解
    • 發(fā)布時間:2020-11-14 16:25:50
    • 來源:
    • 閱讀次數(shù):
    MOS管知識-MOS管的導(dǎo)通過程與損耗分析詳解
    1.MOS管的導(dǎo)通過程和損耗分析: MOS管導(dǎo)通過程
    MOS管和三極管的特性曲線分別如圖1和圖2所示,它們各自區(qū)間的命名有所不同,其中MOS管的飽和區(qū)也稱為恒流區(qū)、放大區(qū)。其中一個主要的不同點在于MOS管有個可變電阻區(qū),而三極管則是飽和區(qū),沒有可變電阻區(qū)的說法。
    從圖中也能明顯看出,MOS管在可變電阻區(qū)內(nèi),Vgs一定時,Id和Vds近似為線性關(guān)系,不同Vgs值對應(yīng)不同的曲線斜率,即漏極D和源極S之間的電阻值Rds受控于Vgs;而三極管在飽和區(qū)內(nèi),不同Ib值的曲線都重合在一起,即曲線斜率相同,阻值相同。
    MOS管的導(dǎo)通過程和損耗
    MOS管的導(dǎo)通過程和損耗
    MOS管導(dǎo)通過程中的各電壓電流曲線如圖3所示,其中Vgs曲線有著名(臭名昭著)的米勒平臺,即Vgs在某段時間(t3-t2)內(nèi)保持不變。
    MOS管的導(dǎo)通過程和損耗
    我們知道MOS管是壓控器件,不同于三極管是流控器件,但是實際上MOS管在從關(guān)斷到導(dǎo)通的過程也是需要電流(電荷)的,原因是因為MOS管各極之間存在寄生電容Cgd,Cgs和Cds,如圖4所示。
    MOS管導(dǎo)通條件是Vgs電壓至少達到閾值電壓Vgs(th),其通過柵極電荷對Cgs電容充電實現(xiàn),當(dāng)MOS管完全導(dǎo)通后就不需要提供電流了,即壓控的意思。
    這三個寄生電容參數(shù)值在MOS管的規(guī)格書中一般是以Ciss,Coss和Crss形式給出,其對應(yīng)關(guān)系為:Cgd=Crss;Cds=Coss-Crss;Cgs=Ciss-Crss。
    MOS管的導(dǎo)通過程和損耗
    2.MOS管的導(dǎo)通過程和損耗分析: MOS管損耗
    MOS管損耗主要有開關(guān)損耗(開通損耗和關(guān)斷損耗,關(guān)注參數(shù)Cgd(Crss))、柵極驅(qū)動損耗(關(guān)注參數(shù)Qg)和導(dǎo)通損耗(關(guān)注參數(shù)Rds(on))等。以如圖10所示的同步BUCK拓撲為例進行說明,由于高側(cè)的開關(guān)管Q1和低側(cè)的同步管Q2組成一個半橋結(jié)構(gòu),為了防止兩個MOS管同時導(dǎo)通而使輸入回路短路,因此兩個MOS管的驅(qū)動信號會存在一個死區(qū)時間,即兩個MOS管都關(guān)斷。
    在死區(qū)時間內(nèi),由于電感的電流不能突變,因此同步管Q2的寄生體二極管將率先導(dǎo)通進行續(xù)流。正是由于體二極管導(dǎo)通后,同步管Q2才被驅(qū)動導(dǎo)通,在忽略二極管壓降的情況下,同步管Q2導(dǎo)通時兩端電壓為0,可以看作是0電壓導(dǎo)通;同步管Q2導(dǎo)通后,其兩端電壓為0直至關(guān)斷,因此也是0電壓關(guān)斷。
    因此,同步管Q2基本沒有開關(guān)損耗,這意味著對于同步管的選取,功耗主要取決于與導(dǎo)通電阻RDS(on)相關(guān)的導(dǎo)通損耗,而開關(guān)損耗可以忽略不計,因此不必考慮柵極電荷Qg。而高側(cè)的開關(guān)管Q1由于開通和關(guān)閉時都不是0電壓,因此要基于導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗綜合來考慮。
    MOS管的導(dǎo)通過程和損耗
    所謂開關(guān)損耗是指MOS管在開通和關(guān)斷過程中,電壓和電流不為0,存在功率損耗。由前述MOS管導(dǎo)通過程可知,開關(guān)損耗主要集中在t1~t3時間段內(nèi)。而米勒平臺時間和MOS管寄生電容Crss成正比,其在MOS管的開關(guān)損耗中所占比例最大,因此米勒電容Crss及所對應(yīng)的Qgd在MOS管的開關(guān)損耗中起主導(dǎo)作用。
    因此對于MOS管的選型,不僅需要考慮柵極電荷Qg和柵極電阻Rg,也需要同時考慮Crss(Cgd)的大小,其同時也會在規(guī)格書的上升時間tr和下降時間tf參數(shù)上有間接反映,MOS管的關(guān)鍵參數(shù)如圖11所示。
    MOS管的導(dǎo)通過程和損耗
    MOS管的各種損耗可以通過以下公式近似估算:
    MOS管的導(dǎo)通過程和損耗
    系數(shù)0.5是因為將MOS管導(dǎo)通曲線看成是近似線性,折算成面積功率,系數(shù)就是0.5;Vin是輸入電壓,Io是輸出電流;tr和tf是MOS管的上升時間和下降時間,分別指的是漏源電壓從90%下降到10%和漏源電壓從10%上升到90%的時間,可以近似看作米勒平臺的持續(xù)時間,即圖3中的(t3-t2)。另外,規(guī)格書中的td(on)和td(off)可以近似看作是Vgs電壓從0開始上升到米勒平臺電壓的時間,即圖3中的t2。
    烜芯微專業(yè)制造二極管,三極管,MOS管,橋堆等20年,工廠直銷省20%,4000家電路電器生產(chǎn)企業(yè)選用,專業(yè)的工程師幫您穩(wěn)定好每一批產(chǎn)品,如果您有遇到什么需要幫助解決的,可以點擊右邊的工程師,或者點擊銷售經(jīng)理給您精準(zhǔn)的報價以及產(chǎn)品介紹
    相關(guān)閱讀