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  • MOS管知識,V-MOS場效應(yīng)管功放工作原理介紹
    • 發(fā)布時間:2020-11-10 17:48:16
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    MOS管知識,V-MOS場效應(yīng)管功放工作原理介紹
    (一)V-MOS場效應(yīng)管功放:電路工作原理
    V-MOS場效應(yīng)管功放由輸入、激勵和功率放大三級構(gòu)成,級間采用直接耦合,主電源士18V,電路屬于OCL形式,如圖4-17所示。該電路工作原理簡述如下。
    V-MOS場效應(yīng)管功放
    (1)為保持輸出端直流零電位的穩(wěn)定,輸入級采用典型的差動放大電路,由T1、T2、T3等元件構(gòu)成,射極回路中串接的R5、R6不僅對擴展這一級的線性動態(tài)范圍有利,而且使頻帶隨之展寬。
    在增益余量較大的情況下,R5、R6的值取得大一些有利,本電路取200Ω,使輸入級電壓增益限制在32dB左右。為減小漂移和噪聲影響,輸入差動級每管工作電流以0.5~0.6mA為宜,由恒流源電路供給,以此保證電路的直流穩(wěn)定性。T3是一個普通結(jié)型場效應(yīng)管,其柵源短接便成為一簡單的恒流源,電流值可由調(diào)節(jié)w1來決定。本級選用差動電路的另一目的是完成信號的倒相任務(wù)。
    (2)T4、T5等組成第二差動放大電路,作為整個電路的中間電壓放大用,兼有電位配合作用。射極電阻R9、R10起電流負反饋作用,使本級電壓增益控制在12dB左右。穩(wěn)壓管D1是為了配合T4、T5發(fā)射極電位而設(shè)置的,穩(wěn)壓值的選擇決定于前級集電極負載R3、R4上的直流電壓降,本電路選用的D1穩(wěn)壓值為6V,這是考慮到在這一電壓附近時穩(wěn)壓管的溫度系數(shù)接近為零。
    T6在這里起電位調(diào)節(jié)作用,使T4的直流工作狀態(tài)與T5盡量接近。R11、R12分別是T4、T5集電極的負載,阻值要根據(jù)本級工作電流和末級V-MOS管的閥值電壓來確定,其上的直流壓降將作為T7、T8的柵極偏壓,而交流信號電壓便是T7、T8柵極的激勵電壓。
    (3)T7、T8等組成放大器的末級功放單元。但有一點須注意,V-MOS場效應(yīng)管的G-S極間耐壓BU(gss)-般只有30~40V,為使它能安全工作,在G-S間設(shè)有穩(wěn)壓管D2、D3,起保護作用,其穩(wěn)壓值應(yīng)小于T7、T8的柵源耐壓值,一般選10~12V的穩(wěn)壓管即能滿足使用要求。
    (4)激勵級輸出與末級柵極之間接入電阻R13、R14,能有效地抑制高頻振蕩。因為V-MOS場效應(yīng)管所需柵極電流極小,甚至可以忽略,所以R13、R14的取值范圍較寬,可由lkΩ到100kΩ之間選取,本電路中,R13、R14取33kΩ。
    (5)電容C4、C5和電阻R15、R16、R17構(gòu)成大環(huán)路負反饋網(wǎng)絡(luò),能使放大器獲得合適的增益與最小的失真度,放大器的閉環(huán)增益和負反饋均由R16/R17的比值來決定。C4、C5還具有超前補償作用。
    (二)V-MOS場效應(yīng)管功放:主要元器件的選取
    該電路對所用元器件的要求和參數(shù)如表4-1、表4-2所示。
    V-MOS場效應(yīng)管功放
    V-MOS場效應(yīng)管功放
    (三)V-MOS場效應(yīng)管功放:調(diào)試與安裝
    因為V-MOS場效應(yīng)管輸入阻抗很高,為防止感應(yīng)電壓將G-S擊穿, V-MOS場效應(yīng)管應(yīng)最后接入電路,并且,焊接時烙鐵外殼應(yīng)妥善接地。調(diào)試過程中,為防止中點電壓不穩(wěn)定沖擊損壞揚聲器,可用一只20W、8Ω的假負載代替。
    本電路的具體調(diào)試很簡單,可分如下兩步進行:
    (1)未裝V-MOS場效應(yīng)管前,調(diào)整恒流源電路中的W1,使R11、R12兩端的電壓降為3.4V左右。
    (2)接入V-MOS場效應(yīng)管后,調(diào)整中點零電位。進行調(diào)整前,先將一只30k電阻和一只10k電位器串聯(lián),以代替R15接入電路,調(diào)試完畢后再換上等值固定電阻。
    (四)放大器的性能指標
    (1)頻率響應(yīng)20Hz~ 50kHz<士0.5dB; 10Hz~ 100kHz<士3dB。
    (2)閉環(huán)增益26dB;開環(huán)增益43.5dB。
    (3)諧波失真(1kHz時)額定輸出<0.05%(24W、4Ω);不削頂最大輸出<0.1%(32W、4Ω)。
    (4)額定輸出功率24W、4Ω。
    (5)滿功率輸出半小時零點漂移0.05V。
    v-mos管注意事項
    (1)V-MOS管亦分N溝道管與P溝道管,但絕大多數(shù)產(chǎn)品屬于N溝道管。對于P溝道管,測量時應(yīng)交換表筆的位置。
    (2)有少數(shù)VMOS管在G-S之間并有保護二極管。
    (3)目前市場上還有一種V-MOS管功率模塊,專供交流電機調(diào)速器、逆變器使用。例如美國IR公司生產(chǎn)的IRFT001型模塊,內(nèi)部有N溝道、P溝道管各三只,構(gòu)成三相橋式結(jié)構(gòu)。
    (4)現(xiàn)在市售VNF系列(N溝道)產(chǎn)品,是美國Supertex公司生產(chǎn)的超高頻功率場效應(yīng)管,其最高工作頻率fp=120MHz,IDSM=1A,PDM=30W,共源小信號低頻跨導gm=2000μS。適用于高速開關(guān)電路和廣播、通信設(shè)備中。
    (5)使用V-MOS管時必須加合適的散熱器后。以VNF306為例,該管子加裝140×140×4(mm)的散熱器后,最大功率才能達到30W。
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