(2) V(BR)CEO--b極開(kāi)c-e極之間的反向擊穿電壓。

此時(shí)流經(jīng)c-e極的是ICEO。當(dāng)反向電壓VCE增加到ICEO開(kāi)始上升時(shí)的VCE就是V(BR)CEO。應(yīng)該注意，在此情況下，當(dāng)集電結(jié)開(kāi)始擊穿時(shí)，IC增大，同時(shí)發(fā)射結(jié)分到的正向電壓增大，使e區(qū)注入b區(qū)的電子增多，IE增大。IE的增大又將使IC進(jìn)一步增大。所以，這里有一個(gè)培增效應(yīng)，而最后使c-e極之間擊穿電壓V(BR)CEO要比V(BR)CBO小

即V(BR)CEO<V(BR)CBO。

(3) V(BR)CER和V(BR)CES--b-e極之間接電阻(R) 和短路(S) 時(shí)的V(BR)CE。

在b-e極之間接電阻R后，發(fā)射結(jié)被分流。當(dāng)集電結(jié)反向電流ICBO流過(guò)b極時(shí)，由于分流而使流過(guò)發(fā)射結(jié)的電流減少。所以，在上面(2) 中所說(shuō)的倍增效應(yīng)減小，為了進(jìn)入擊穿狀態(tài)，必須加大VCE。也就是說(shuō)，V(BR)CER> V(BR)CEO。電阻R愈小，它對(duì)發(fā)射結(jié)的分流作用愈大，所以進(jìn)入擊穿狀態(tài)時(shí),所需的VCE愈大。當(dāng)R= 0并略去基區(qū)的體電阻rbb'則發(fā)射結(jié)相當(dāng)于短路。此肘V(BR)CBO近似等于V(BR)CES。

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