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  • 基于SiC二極管的交錯(cuò)式PFC模塊介紹
    • 發(fā)布時(shí)間:2020-10-10 18:02:05
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    基于SiC二極管的交錯(cuò)式PFC模塊介紹
    SiC二極管
    為配合客戶(hù)定制開(kāi)發(fā)了一款交錯(cuò)式PFC的模塊。采用了自主研發(fā)的兩顆600V40A的高頻IGBT芯片和兩顆SiC二極管。用零反向恢復(fù)電流600V15A SiC JBS二極管芯片,來(lái)最大化IGBT及SiC二極管性能。封裝成DIP26模塊,極大的方便終端客戶(hù)的裝配。采用真空焊接工藝降低焊接空洞率,保證高絕緣強(qiáng)度的情況下,提高模塊導(dǎo)熱性。
    交錯(cuò)式PFC是一種新興的功率因數(shù)校正PFC技術(shù),它將傳統(tǒng)的單個(gè)大功率PFC分解為兩個(gè)功率減半的并聯(lián)PFC,這兩個(gè)功率減半的PFC以180°的相位差交替工作。不僅可以減小單個(gè)電感的容量,而且可以降低對(duì)功率器件的電性要求,改善熱性能,同時(shí)可以減小電流紋波,進(jìn)而減小升壓電容均方根電流及系統(tǒng)損耗。常規(guī)的交錯(cuò)式PFC由高頻IGBT及FRD二極管組成,但FRD二極管在關(guān)斷時(shí)釋放開(kāi)通過(guò)程中存儲(chǔ)的少數(shù)載流子,形成較大的反向電流,不僅增加了升壓二極管的損耗,而且這些反向電流也會(huì)通過(guò)高頻IGBT,造成高頻IGBT更大的開(kāi)通損耗,惡化了高頻IGBT的性能。同時(shí)產(chǎn)生很高的di/dt,形成嚴(yán)重的電磁干擾。SiC的JBS二極管以多數(shù)載流子電子作為電流的媒介,不同于以少數(shù)載流子傳輸電流的FRD二極管,它的反向恢復(fù)電流幾乎是0,可以降低高頻IGBT及升壓二極管的開(kāi)關(guān)損耗,減小器件的電壓及電流應(yīng)力,改善電磁干擾。
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