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  • MOS管開關(guān)管損耗計(jì)算方法公式與解釋
    • 發(fā)布時(shí)間:2020-09-17 18:00:36
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    MOS管開關(guān)管損耗計(jì)算方法公式與解釋
    人們對(duì)MOS管開關(guān)電源的要求越來越高,要求開關(guān)電源的體積越來越小,這也意味著開關(guān)頻率越來越高。隨著開關(guān)頻率的提高,降低變換器的開關(guān)損耗也變得極其重要。
    一、 MOS管開關(guān)管損耗計(jì)算
    MOS管是開關(guān)電源中常見器件之一,在評(píng)估開關(guān)電源效率的時(shí)候,對(duì)于MOS管的選型十分重要,如果選擇的MOS不合適,電路該部分的發(fā)熱會(huì)非常嚴(yán)重,影響效率。因此,在考慮到設(shè)計(jì)開關(guān)電源的效率時(shí),MOS管的損耗是不容忽視的一部分。下面將詳細(xì)計(jì)算MOS管的損耗。
    二、MOS管的損耗來源
    (1)MOS開關(guān)損耗
    MOS在開關(guān)電源中用作開關(guān)器件,顧名思義,MOS會(huì)經(jīng)常的開通和關(guān)斷。MOS管開關(guān)管損耗計(jì)算由于電壓和電流都是模擬量,這個(gè)世界也是模擬的世界,電壓和電流都不能突變,將MOS管比如成一個(gè)“水龍頭”就很好理解MOS管的第一部分損耗:開關(guān)損耗
    當(dāng)我們?cè)诖蜷_水龍頭或者關(guān)閉水龍頭的時(shí)候,并不是等到我們完全打開龍頭的閥門,水才出來,也不是等到我們完全關(guān)斷水龍頭,才沒有水流出。在我們操作的過程中,其實(shí)都有水在流出或者是慢慢停止。對(duì)于MOS也是這樣,流過MOS管的電流就像是水流,加在MOS管VDS間的電壓就像是水龍頭的閥門。
    因此,MOS管開關(guān)損耗產(chǎn)生的本質(zhì)原因是由于MOS開通和關(guān)斷并不是瞬間完成,電壓和電流存在重疊區(qū)。開通過程如圖所示:
    MOS管開關(guān)管損耗計(jì)算
    開通過程如上圖所示,從電流Id從0開始上升到VDS減小為0為止,為MOS管的開通過程,如上圖的1點(diǎn)到2點(diǎn)所示。
    (2)MOS導(dǎo)通損耗
    理想的電壓源我們不計(jì)其內(nèi)阻,理想的運(yùn)算放大器我們不計(jì)流入運(yùn)放的電流,同樣,理想的開關(guān),我們將其等效為電阻為0的導(dǎo)線。但是在實(shí)際使用過程中,MOS開通后,是存在一定阻值的,這個(gè)阻值會(huì)隨著VGS電壓的變化而變化,當(dāng)MOS完全開通時(shí),電阻才基本等效為一定固定的電阻。
    因此,MOS管損耗的第二部分就是導(dǎo)通損耗 ,產(chǎn)生導(dǎo)通損耗的本質(zhì)原因是實(shí)際使用的MOS管不能等效為電阻為0的器件,導(dǎo)通時(shí)的內(nèi)阻是會(huì)造成MOS管發(fā)熱的原因之一。
    導(dǎo)通損耗的計(jì)算主要是導(dǎo)通時(shí)的電流,內(nèi)阻。
    (3)MOS管驅(qū)動(dòng)損耗
    從圖1可以看出,在1點(diǎn)之前,也就是電流從0上開始上升的前,這一部分MOS還沒開通,既不存在開關(guān)損耗,也不存在導(dǎo)通損耗,但是由于這部分時(shí)間,驅(qū)動(dòng)芯片在對(duì)MOS的柵極充電,這也是損耗的一種形式,并歸為MOS的損耗,即驅(qū)動(dòng)損耗。
    因此,MOS的驅(qū)動(dòng)損耗,和驅(qū)動(dòng)芯片的驅(qū)動(dòng)功率有關(guān),和MOS管的選型有關(guān)(Qg)。
    三、MOS管開關(guān)管損耗計(jì)算實(shí)例
    (1)基于BUCK電源計(jì)算
    假設(shè)現(xiàn)在有一降壓電源,參數(shù)如下:
    輸入:Uin=12V
    輸出:Uout=1.8V
    開關(guān)頻率:f=500K
    負(fù)載電流:Io=20A
    紋波系數(shù):r=0.4
    選擇的MOS管為凌特的BSC050N03,參數(shù)如下
    MOS管開關(guān)管損耗計(jì)算
    MOS管開關(guān)管損耗計(jì)算MOS管開關(guān)管損耗計(jì)算
    下面計(jì)算該開關(guān)電源的MOS損耗。
    一、MOS管損耗
    (1)導(dǎo)通損耗
    MOS管導(dǎo)通損耗的計(jì)算公式為:P=I^2R= Rdson* Iqsw* IqswD= 20x20x61.8/12=0.36W
    (2)開關(guān)損耗
    開關(guān)損耗的計(jì)算公式:Psw=1/2* Vin*Iout *Fsx(Qgs2+Qgd)/Ig。
    如果只計(jì)算開通損耗有:Psw=0.512(20-4)500k * (6n/5)=0.576W
    如果只計(jì)算關(guān)斷損耗有:Psw=0.512*(20+4)*500k * (6n/1)=0.432W
    Ig由選擇的驅(qū)動(dòng)芯片決定,LTC3883,驅(qū)動(dòng)電壓Vgs=5V
    (3)驅(qū)動(dòng)損耗
    Pgate=VgQgfs=513n500k=0.0325W
    開關(guān)管的總損耗:P=0.36+0.576+0.432+0.0325=1.4W
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