從原理的視角，一文徹底區(qū)分MOS NMOS PMOS CMOS，詳細請查看下文。mos管學名是場效應管，是金屬-氧化物-半導體型場效應管，屬于絕緣柵型，MOS又分N型、P型MOS管。
（一）由基礎說起
半導體的基礎材料是硅晶體，硅這種材料，在化學元素周期表里是四族元素，硅從微觀上看每個原子最外層有4個電子，我們知道，外層4個電子的物質處于穩(wěn)定狀態(tài)。硅晶體里，兩個電子結合形成更為穩(wěn)定的共價鍵。
當然這種共價鍵并不是牢不可破的，在絕對0度以上，總會有少數(shù)的電子擺脫共價鍵的束縛在晶格里游蕩，會表現(xiàn)出很小的導電性，半導體的名字就這么來了。
如果硅晶體里摻入了三族元素，比如硼，會是什么狀況的呢？
三族元素最外層3個電子，跟硅結合的時候，共價鍵上就會缺一個電子，我們叫它空穴。由于電子的熱力學運動，某個共價鍵上的電子可能擺脫束縛移動到空穴位置上來，宏觀上看好像是空穴產生了移動，由于空穴表現(xiàn)正電荷，空穴的英文稱為positive holes，這種半導體就稱之為P型半導體。
同樣，在硅晶體里摻雜五族元素后，共價鍵上就會多出一個電子，這個電子可以在半導體內自由移動，形成導電的電子，即negative electrons。摻雜五族元素的半導體稱為N型半導體。
我們從宏觀上看，N型半導體里面有很多可以導電的電子。
P型半導體里面有很多不可移動的空穴。此處特別強調不可移動，我們說空穴的移動，實際上是其它位置的電子填充了空穴的位置，看上去像是空穴在移動。
N型半導體和P型半導體宏觀上看都是不帶電的！正負電荷量相等。
（二）MOS
假如我們把P型半導體放在一個電場中會有什么現(xiàn)象呢 ？根據(jù)最基本的物理知識，同電荷排斥，異電荷相吸，電場中的P型半導體如下圖所見。左右兩側為電極板，電子會被吸引到正電極測，空穴被吸引到負電極測。這里正負只是普通的物理定義，其實在電路中，嚴格的說法應該是高電平測、低電平測。正負只有在指定0V參考點的情況下才有意義。
我們把這種效應稱為電場效應（Field Effect），依據(jù)這種現(xiàn)場所發(fā)明的半導體器件稱為場效應管，即Field Effect Transistor ，簡稱FET！這就是FET真實的內涵。
為了方便產生一個電場，科學家們發(fā)明了一種像三明治的結構。這種結構的最上層是金屬，一般是鋁化合物，中間層是氧化物，一般是氧化硅，下面是P型半導體，此處也稱為P型襯底。這種器件被稱為Metal Oxide Semiconductor，簡稱MOS。
在金屬層和襯底之間加上電場，于是在氧化物的下面就聚集了電子，形成一個反轉層。本來是P型襯底，出現(xiàn)了電子層，中文書里面也叫做“溝道”，也被稱為N溝道。
把這個材料繼續(xù)加工，在P型襯底的兩肩腐蝕出N型的電極，于是NMOS就這么產生了！金屬層被稱為G極、即柵極；N型摻雜濃度高的一端稱為S極、即源極，摻雜濃度稍微低點的一端稱為D極，即漏極。“源”是源頭的意思，它的濃度高、可以提供更多的載流子，在N型半導體里，溝道內部是電子，如果能夠形成一個電流通路，那么源極也應該提供的是電子。
在外部偏壓形成的電場力作用下，電子由S流向D。因為電流定義的方向跟電子流動的方向相反，所以此時電流從D流向S。因此，D點的點位要比S點高。
至此，我們就清楚了什么是MOS，MOSFET，NMOS。記住一點：NMOS指的是形成了N型的反轉層，那么它一定是在P型襯底上實現(xiàn)的。
同樣，對于襯底為N型的器件，我們要施加電場產生一個空穴區(qū)，即P溝道，所以稱為PMOS，空穴區(qū)需要低電平產生，所以G極的電勢要比源極低。P溝道流動的是”空穴“，所以電流方向是S極流向D極，那么S極的電勢就要高。
至此，我們應該能分清什么是MOS、MOSFET、NMOS、PMOS了。從中我們也看出了，MOS管是一種G極電壓產生電場效應，控制DS兩端電流的可控器件。
（三）NMOS電路抽象
在電路里面，如何區(qū)分NMOS、PMOS以及電路如何連接呢？
現(xiàn)在我們想一下，襯底該怎么接，以NMOS為例，襯底P型，如果襯底接高電位，那么就形成了兩個PN結并聯(lián)的電路。所以P型襯底需要接低電位，根據(jù)上面說的電流方向，N型MOS低電位為S極，所以襯底需要連S極。這就是為什么MOS管的電路圖總是看到襯底跟S極相連的原因！
下面詳細說說電路符號每一個細節(jié)所代表的意思。
1. 沒有施加電場時，G極下沒有產生N溝道，所以電路圖中用虛線代表這一層意思。（以后的文章中會介紹不同種類的MOSFET，G極為0V，沒有反轉層生成的器件稱為增強型MOS管，還有一種是耗盡型MOS，對于耗盡型MOS，中間豎線是相連的。
2. 箭頭的意思代表襯底的PN結效應，P型襯底（NMOS）在G極產生電場下，靠近G極為電子區(qū)、遠離端為空穴區(qū)，所以電場下生產的PN效應指向G極！
3. 圖中的二極管是襯底與D之間體二極管，上文中也提到了，如果襯底接高電平，此時二極管直接導通，失去了MOS管控制的作用。大家此時應該立刻想到，如果NMOS的S極接了高電壓，D接了低電壓，MOS管直接導通！
（四）PMOS電路抽象
對于PMOS，再啰嗦一遍，PMOS的”P“即P溝道，一定是在N型襯底上產生的，襯底PN效應箭頭背離G極。N型襯底的兩肩上腐蝕出P型電極，流過溝道的是空穴，方向從源到漏，源為高摻雜，空穴運動的方向同時也是電流的方向，也就是說PMOS的電流從S到D，S為高電平。
PMOS的襯底為N型，如果襯底為低電平，同樣是等效于兩個PN結并聯(lián)，所以襯底要接高電平，即襯底也是連S極，得出一個結論：無論NMOS、PMOS襯底都是連S極！
體二極管效應仍然在D極和襯底間產生，D為體二極管的P區(qū)。同樣，對于PMOS，D極比S極點位高的話，直接通過二極管效應產生通路。
NMOS和PMOS分別簡化如下：
（五）什么是CMOS
CMOS即 complementary MOSFET，互補型MOSFET，在大規(guī)模集成電路里面，NMOS和PMOS被集成在一起，通過同一個信號來控制，從而實現(xiàn)數(shù)字信號的邏輯NOT功能。這種結構是組成集成電路的基礎單元。
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