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SiC MOSFET尖峰產(chǎn)生原因與抑制介紹SiC MOSFET DS電壓尖峰產(chǎn)生原因在半橋電路中,針對(duì)MOS漏極和源極產(chǎn)生的尖峰抑制方法之一就是增加緩沖
MOSFET應(yīng)用,緩沖電路種類詳解緩沖電路的種類緩沖電路分為由電阻、線圈和電容器等被動(dòng)部件組合的電路,和包含半導(dǎo)體元器件的主動(dòng)電路。為了
緩沖電路設(shè)計(jì)方法介紹緩沖電路的設(shè)計(jì)方法1.圖所示的緩沖電路是通過(guò)CSNB 吸收LTRACE 積蓄的能量。因此,在緩沖電路中形成的LSNB 必須比L
不同封裝造成的電壓尖峰差異介紹SiC MOSFET 作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體具有擊穿電場(chǎng)高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)勢(shì),在
同步降壓MOSFET電阻比正確選擇介紹在本文中,我們將研究在同步降壓功率級(jí)中如何對(duì)傳導(dǎo)功耗進(jìn)行折中處理,而其與占空比和 FET 電阻比有關(guān)
DCDC,電源IC損耗計(jì)算方法介紹本文將在簡(jiǎn)單的前提下,介紹一種利用現(xiàn)有數(shù)據(jù)求出電源IC損耗的方法。損耗的簡(jiǎn)單計(jì)算方法在很多情況下,電源IC
電源IC的功率損耗計(jì)算介紹圖中給出了從電源IC的損耗這個(gè)角度考慮時(shí)相關(guān)的部分。本次以輸出段的MOSFET內(nèi)置型IC為例進(jìn)行說(shuō)明。相關(guān)內(nèi)容見(jiàn)圖中
常用的低頻功率放大器電路圖介紹功率放大器一般也被我們稱為電壓放大器,主要是把微弱信號(hào)進(jìn)行電壓放大,其輸入輸出的電壓電流一般很小,不
幾款OTL功率放大器電路圖介紹OTL電路為推挽式無(wú)輸出變壓器功率放大電路。通常采用單電源供電,從兩組串聯(lián)的輸出中點(diǎn)通過(guò)電容耦合輸出信號(hào)。
高頻功率放大器電路圖與原理解析高頻功率放大器電路圖:高頻功率放大器原理電路圖通常情況下LC的諧振回路一般是放大器的并聯(lián)諧振網(wǎng)路,諧振
功率放大器分類圖文詳解功率放大器(Power Amplifier,PA,簡(jiǎn)稱功放)是指在給定失真率條件下,能產(chǎn)生最大功率輸出以驅(qū)動(dòng)某一負(fù)載(例如揚(yáng)
功率放大器分類圖文詳細(xì)解析功率放大器(Power Amplifier,PA,簡(jiǎn)稱功放)是指在給定失真率條件下,能產(chǎn)生最大功率輸出以驅(qū)動(dòng)某一負(fù)載(例