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mos管的四種類(lèi)型區(qū)別是什么
2019-08-14
解析mos管的四種類(lèi)型-MOS管四種類(lèi)型有什么區(qū)別及聯(lián)系mos管的四種類(lèi)型mos管的四種類(lèi)型，與結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管相同，MOS管工作原理動(dòng)畫(huà)示意圖也有N
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MOSFET IGBT知識(shí)與區(qū)別-MOSFET與IGBT絕緣柵極隔離驅(qū)動(dòng)技術(shù)
2019-08-14
MOSFET IGBT概述及區(qū)別-MOSFET和IGBT絕緣柵極隔離驅(qū)動(dòng)技術(shù)分析本文主要介紹MOSFET和IGBT絕緣柵極隔離驅(qū)動(dòng)技術(shù)，我們先簡(jiǎn)單的介紹一下MOSFE
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分析電容-電容的作用-電容單位-電容公式與檢測(cè)
2019-08-13
分析電容-電容的作用-電容單位-電容公式與檢測(cè)電容的簡(jiǎn)介電容器所帶電量Q與電容器兩極間的電壓U的比值，叫電容器的電容。在電路學(xué)里，給定
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分析開(kāi)關(guān)電源中光耦作用與光耦傳輸比(CTR)對(duì)開(kāi)關(guān)電源的影響
2019-08-13
分析開(kāi)關(guān)電源中光耦作用與光耦傳輸比(CTR)對(duì)開(kāi)關(guān)電源的影響光耦光耦合器亦稱(chēng)光電隔離器或光電耦合器，簡(jiǎn)稱(chēng)光耦。它是以光為媒介來(lái)傳輸電信
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分析開(kāi)關(guān)電源MOS管開(kāi)關(guān)損耗推導(dǎo)過(guò)程
2019-08-13
分析開(kāi)關(guān)電源MOS管開(kāi)關(guān)損耗推導(dǎo)過(guò)程開(kāi)關(guān)損耗是什么意思開(kāi)關(guān)損耗包括導(dǎo)通損耗和截止損耗。導(dǎo)通損耗指功率管從截止到導(dǎo)通時(shí),所產(chǎn)生的功率損耗
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快恢復(fù)二極管電路圖工作過(guò)程和原理分析-快恢復(fù)二極管的作
2019-08-13
快恢復(fù)二極管電路圖工作過(guò)程和原理分析-快恢復(fù)二極管的作用快恢復(fù)二極管介紹主要講快恢復(fù)二極管電路圖的一些應(yīng)用電路?？旎謴?fù)二極管（簡(jiǎn)稱(chēng)F
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詳紹MOS管-MOS管知識(shí)
2019-08-13
一、什么是MOS管？MOS管全稱(chēng)金屬—氧化物—半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管或稱(chēng)金屬—絕緣體—半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,屬于場(chǎng)效應(yīng)管中的絕緣柵型,因此,MOS管...
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電阻公式是哪些-發(fā)光二極管限流電阻計(jì)算方法
2019-08-12
電阻公式是哪些-發(fā)光二極管限流電阻計(jì)算方法詳解電阻是什么電阻公式有哪些？本文主要是介紹電阻公式與電阻的一些基礎(chǔ)知識(shí)。電阻，是一個(gè)限
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要怎么在電源設(shè)計(jì)中減少M(fèi)OSFET損耗的同時(shí)提升EMI性能
2019-08-12
要怎么做到在電源設(shè)計(jì)中減少M(fèi)OSFET損耗的同時(shí)提升EMI性能MOSFETMOSFET簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Tr
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二極管的作用原理特性以及開(kāi)關(guān)過(guò)程知識(shí)
2019-08-12
二極管的作用-二極管的作用、工作原理、特性、開(kāi)關(guān)過(guò)程詳解二極管概述二極管的作用，二極管，電子元件當(dāng)中，一種具有兩個(gè)電極的裝置，只允
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8個(gè)MOS數(shù)據(jù)讓你徹底理了解MOSFET的Datasheet
2019-08-12
8大MOS數(shù)據(jù)說(shuō)明讓你徹底并理解MOSFET的DatasheetMOSFET的Datasheet首先來(lái)介紹一下Datasheet是什么意思吧。它一般指數(shù)據(jù)表的意思，MOSFET的D
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12v升220v升壓電路圖與直流升壓電路圖的四種詳解
2019-08-12
四款簡(jiǎn)單的12v升220v升壓電路圖及直流升壓電路圖講解升壓電路簡(jiǎn)介升壓電路圖，升壓電路簡(jiǎn)介，是利用自舉升壓二極管，自舉升壓電容等電子元