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集成化的VMOS柵極驅(qū)動(dòng)器件特點(diǎn)
2019-10-28
集成化的柵極驅(qū)動(dòng)器件在理論上，集成化的柵極驅(qū)動(dòng)器件的應(yīng)用更為普遍。用于VMOS驅(qū)動(dòng)的集成化器件大致有圖5 84所示的幾類，它們的基本特性
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解析CMOS器件特性和電源電壓-溫度與特征
2019-10-26
CMOS器件的電學(xué)特性MOS器件的特性受電源電壓和環(huán)境溫度的影響，不過(guò)由于構(gòu)成CMOS的p溝、n溝晶體管受影響發(fā)作變化的狀況相同，其結(jié)果在特性
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NMOS晶體管-闡明MOS的工作原理特征
2019-10-26
MOS晶體管的工作原理 首先討論將柵極與源極短路、接地（VGS=OV）時(shí)的狀況。如圖1 9所示的MOS晶體管。這種狀態(tài)下，雖然漏極上加電壓VDS，但
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MOS晶體管放大電路的三個(gè)端子中有兩個(gè)是輸入端與輸出端
2019-10-26
基本放大電路為了放大模仿信號(hào)必需運(yùn)用有源器件。MOS晶體管就是一種頻繁運(yùn)用的有源器件。MOS晶體管的三個(gè)端子中有兩個(gè)分別是輸入端和輸出端
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CMOS標(biāo)準(zhǔn)邏輯電路是什么
2019-10-26
CMOS規(guī)范邏輯CMOS規(guī)范邏輯的歷史與MOS型半導(dǎo)體的開(kāi)展歷史有著親密的關(guān)系。圖11 l示出規(guī)范邏輯IC從降生到開(kāi)展的樹(shù)狀生長(zhǎng)過(guò)程。規(guī)范邏輯IC大
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場(chǎng)效應(yīng)管是什么樣的元器件-全控制型晶體管有哪幾類
2019-10-26
場(chǎng)效應(yīng)管的個(gè)性目前，曾經(jīng)適用化的全控型晶體管大致有這么幾大類：BJT、FET、IGBT,GTO(Gatc Turn-Off Thyristor，可關(guān)斷晶閘管）、1GCT
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場(chǎng)效應(yīng)管封裝有哪種類型-場(chǎng)效應(yīng)管封裝的有哪些
2019-10-26
場(chǎng)效應(yīng)管封裝有哪種類型-場(chǎng)效應(yīng)管封裝的有哪些板級(jí)封裝無(wú)論是狹義上的模塊，還是IPM、PIM、MCM、SIP SOP，中心的元器件都是管芯和裸芯片，
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MOS管的本征增益gmro-的特征與頻率
2019-10-25
柵源放大電路源極接地放大電路是最常用的放大電路，它最大的電壓增益是gmr。（MOS晶體管的本征增益），也就是不超越幾十倍的程度。所謂本征
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模擬cmos集成電路設(shè)計(jì)-CMOS電路最常用的是哪種電路
2019-10-25
基本電流源電路偏置電路有兩種，即電流偏置電路和電壓偏置電路。設(shè)計(jì)CMOS模擬電路時(shí)最常用的是電流偏置電路。這是由于MOS晶體管的跨導(dǎo)gm和
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mos管開(kāi)關(guān)電源-開(kāi)關(guān)電源上的mos管選擇的特征作用
2019-10-25
開(kāi)關(guān)電源中的MOS管今天我們?cè)趤?lái)一同學(xué)習(xí)下開(kāi)關(guān)電源上面要怎樣選擇MOS管吧，看下開(kāi)關(guān)電源上面選用MOS管應(yīng)留意那些東西，哪些參數(shù)是MOS管在開(kāi)
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MOS晶體管的源極和基底電位-MOS小信號(hào)等效電路
2019-10-25
源區(qū)與基底等電位時(shí)MOS晶體管的源極與基底等電位，由于Ubs=0，所以小信號(hào)等效電路能夠簡(jiǎn)化成圖2 4那樣。由于漏極電導(dǎo)的倒數(shù)就是輸出電阻ro
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cmos低電壓下工作-CMOS規(guī)范邏輯IC的工作電源電壓范圍
2019-10-25
能夠在低電壓下工作／工作電壓范圍寬圖]0 11示出典型的CMOS規(guī)范邏輯IC的工作電源電壓范圍。與雙極型TTL(Transistor Transistor Logic)的5