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介紹幾種一鍵開(kāi)關(guān)機(jī)電路方案詳解方案一一鍵開(kāi)關(guān)機(jī)電路分析如下:電路工作流程如下:A、 Key按下瞬間,Q2、Q1導(dǎo)通,7805輸入電壓在8 9V左右
N溝道,P溝道MOSFET開(kāi)關(guān)電路圖介紹NMOS(Negative channel-Metal-Oxide-Semiconductor,N型金屬氧化物半導(dǎo)體)。在一塊摻雜濃度較低的P型硅
氮化鎵芯片組實(shí)現(xiàn)高效率,緊湊的反激式電源介紹氮化鎵芯片組--它由具有耐用的750V氮化鎵(GaN)初級(jí)側(cè)開(kāi)關(guān)的反激式IC方案與創(chuàng)新的高頻有源鉗位
SiC MOSFET實(shí)時(shí)結(jié)溫監(jiān)測(cè)電路圖文分析碳化硅設(shè)備或設(shè)備因在不久的將來(lái)有可能在電力電子設(shè)備(特別是大功率轉(zhuǎn)換器應(yīng)用)中替代硅的傳統(tǒng)設(shè)備
驅(qū)動(dòng)輸入端負(fù)壓抑制與尖峰形成原因介紹許多高性能、高頻率的PWM控制芯片,無(wú)論是數(shù)字類(lèi)型還是模擬類(lèi)型,都不具備或只有有限的直接驅(qū)動(dòng)功率M
5V降壓轉(zhuǎn)3 3V或3V電路圖芯片圖解5V降壓轉(zhuǎn)3.3V和3V都是低壓,兩個(gè)之間的壓差效率,所以效率和工作溫度這塊都會(huì)比較優(yōu)秀,輸入和輸出的最低壓差
逆變器,逆變器電路制作過(guò)程解析這里介紹的逆變器(見(jiàn)圖1)主要由MOS 場(chǎng)效應(yīng)管,普通電源變壓器構(gòu)成。其輸出功率取決于MOS 場(chǎng)效應(yīng)管和電源
電源模塊,怎么保障電源模塊的高低溫性能現(xiàn)在電源模塊的體積越來(lái)越小,功率密度也越來(lái)越高,并且模塊的工作環(huán)境也愈發(fā)惡劣,其高低溫設(shè)計(jì)、
模塊電源的待機(jī)功耗究竟耗在哪當(dāng)今社會(huì)越來(lái)越重視能源節(jié)約,無(wú)效損耗越小越好,特別是一些儀器儀表行業(yè),在模塊電源應(yīng)用選型中,對(duì)模塊電源
MOSFET,MOSFET的結(jié)構(gòu)介紹最近,國(guó)內(nèi)對(duì)MOSFET的需求大漲,導(dǎo)致業(yè)內(nèi)缺貨,很多廠商有錢(qián)買(mǎi)不到貨,這是MOSFET廠商最愿意看到的。MOSFET需求增
單片機(jī)控制的電動(dòng)車(chē)鋰電池組設(shè)計(jì)方案介紹針對(duì)目前電動(dòng)車(chē)鋰電池組所用的保護(hù)電路大多都由分立原件構(gòu)成,存在控制精度不夠高、技術(shù)指標(biāo)低、不
怎么通過(guò)結(jié)溫評(píng)估器件的可靠性工程師在設(shè)計(jì)一款產(chǎn)品時(shí)用了一顆9A的MOS管,量產(chǎn)后發(fā)現(xiàn)壞品率偏高,經(jīng)重新計(jì)算后,換成5A的MOS管,問(wèn)題就解決