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開關(guān)電源MOS的失效原因與預(yù)防措施詳解
  • 發(fā)布時(shí)間:2024-04-20 19:14:32
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開關(guān)電源MOS的失效原因與預(yù)防措施詳解
雪崩失效
雪崩失效(電壓失效),也就是我們常說的漏源間的BVdss電壓超過MOSFET的額定電壓,并且超過達(dá)到了一定的能力從而導(dǎo)致MOSFET失效。
雪崩失效:MOSFET在電源板上由于母線電壓、變壓器反射電壓、漏感尖峰電壓等等系統(tǒng)電壓疊加在MOSFET漏源之間,導(dǎo)致的一種失效模式。簡(jiǎn)而言之就是MOSFET漏源極的電壓超過其規(guī)定電壓值并達(dá)到一定的能量限度而導(dǎo)致的一種常見的失效模式。
下圖為雪崩測(cè)試的等效原理圖:
開關(guān)電源MOS的失效
雪崩失效的預(yù)防措
雪崩失效歸根結(jié)底是電壓失效,可以參考以下的方式來處理。
1.合理降額使用,目前行業(yè)內(nèi)的降額一般選取80%-95%的降額,具體情況根據(jù)企業(yè)的保修條款及電路關(guān)注點(diǎn)進(jìn)行選取。
2.合理的變壓器反射電壓。
3.合理的RCD及TVS吸收電路設(shè)計(jì)。
4.大電流布線盡量采用粗、短的布局結(jié)構(gòu),盡量減少布線寄生電感。
5.選擇合理的柵極電阻Rg。
6.在大功率電源中,可以根據(jù)需要適當(dāng)?shù)募尤隦C減震或齊納二極管進(jìn)行吸收。
SOA失效
SOA失效(電流失效),既超出MOSFET安全工作區(qū)引起失效,分為Id超出器件規(guī)格失效以及Id過大,損耗過高器件長(zhǎng)時(shí)間熱積累而導(dǎo)致的失效。
SOA失效是指電源在運(yùn)行時(shí)異常的大電流和電壓同時(shí)疊加在MOSFET上面,造成瞬時(shí)局部發(fā)熱而導(dǎo)致的破壞模式?;蛘呤切酒c散熱器及封裝不能及時(shí)達(dá)到熱平衡導(dǎo)致熱積累,持續(xù)的發(fā)熱使溫度超過氧化層限制而導(dǎo)致的熱擊穿模式。
關(guān)于SOA各個(gè)線的參數(shù)限定值可以參考下圖:
開關(guān)電源MOS的失效
1.受限于最大額定電流及脈沖電流
2.受限于最大節(jié)溫下的RDSON。
3.受限于器件最大的耗散功率。
4.受限于最大單個(gè)脈沖電流。
5.擊穿電壓BVDSS限制區(qū)
電源上的MOSFET,只要保證能器件處于上面限制區(qū)的范圍內(nèi),就能有效的規(guī)避由于MOSFET而導(dǎo)致的電源失效問題的產(chǎn)生。
SOA失效的預(yù)防措施:
1.確保在最差條件下,MOSFET的所有功率限制條件均在SOA限制線以內(nèi)。
2.將OCP功能一定要做精確細(xì)致。
在進(jìn)行OCP點(diǎn)設(shè)計(jì)時(shí),一般可能會(huì)取1.1-1.5倍電流余量的工程師居多,然后就根據(jù)IC的保護(hù)電壓比如0.7V開始調(diào)試RSENSE電阻。有經(jīng)驗(yàn)的人會(huì)將檢測(cè)延遲時(shí)間、CISS對(duì)OCP實(shí)際的影響考慮在內(nèi)。但是此時(shí)有個(gè)更值得關(guān)注的參數(shù),那就是MOSFET的Td(off)。它到底有什么影響呢,看下面FLYBACK電流波形圖:
開關(guān)電源MOS的失效
電流波形在快到電流尖峰時(shí),有個(gè)下跌,這個(gè)下跌點(diǎn)后又有一段的上升時(shí)間,這段時(shí)間其本質(zhì)就是IC在檢測(cè)到過流信號(hào)執(zhí)行關(guān)斷后,MOSFET本身也開始執(zhí)行關(guān)斷,但是由于器件本身的關(guān)斷延遲,因此電流會(huì)有個(gè)二次上升平臺(tái),如果二次上升平臺(tái)過大,那么在變壓器余量設(shè)計(jì)不足時(shí),就極有可能產(chǎn)生磁飽和的一個(gè)電流沖擊或者電流超器件規(guī)格的一個(gè)失效。
3.合理的熱設(shè)計(jì)余量。
體二極管失效:在橋式、LLC等有用到體二極管進(jìn)行續(xù)流的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中,由于體二極管遭受破壞而導(dǎo)致的失效。
諧振失效:在并聯(lián)使用的過程中,柵極及電路寄生參數(shù)導(dǎo)致震蕩引起的失效。
靜電失效:在秋冬季節(jié),由于人體及設(shè)備靜電而導(dǎo)致的器件失效。
柵極電壓失效:由于柵極遭受異常電壓尖峰,而導(dǎo)致柵極柵氧層失效。
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