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SI2319/SOT-23封裝參數(shù)：點(diǎn)擊查看
SI2319場效應(yīng)管參數(shù)具體如下：
極性：PNP
Drain-Source Voltage 漏源電壓Vds：-40V
Gate-Source Voltage 柵源電壓Vgs：±20V
Continuous Drain Current 漏極電流Id Tc=25℃：-3A
Power Dissipation 功率損耗Pd Ta=25℃：1.25W
Power Dissipation 功率損耗Pd Ta=70℃：0.8W
Static Drain-Source On-Resistance 導(dǎo)通電阻ID=-3A,VGS=-10V：Typ 75mΩ Max 82mΩ
Static Drain-Source On-Resistance 導(dǎo)通電阻ID=-2.4A,VGS=-4.5V：Tpy 100mΩ Max 130mΩ
Junction and Storage Temperature Range 溫度范圍：-55~+150℃
SI2319場效應(yīng)管/SOT-23封裝尺寸：
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