Cool MOS的優(yōu)缺點(diǎn)
對(duì)于常規(guī)VDMOS器件結(jié)構(gòu)，Rdson 與BV這一對(duì)矛盾關(guān)系,要想提高BV ,都是從減小EPI參雜濃度著手，但是外延層又是正向電流流通的通道，EPI 參雜濃度減小了,電阻必然變大，Rdson就大了。
Rdson直接決定著MOS單體的損耗大小。所以對(duì)于普通VDMOS ,兩者矛盾不可調(diào)和, 這就是常規(guī)VDMOS 的局限性。但是對(duì)于 COOLMOS ,這個(gè)矛盾就不那么明顯了。
通過(guò)設(shè)置一個(gè)深入EPI 的的P區(qū),大大提高了BV ,同時(shí)對(duì)Rdson上不產(chǎn)生影響。對(duì)于常規(guī)VDMOS ,反向耐壓，主要靠的是N型EPI與body區(qū)界面的PN結(jié),對(duì)于一個(gè)PN結(jié),耐壓時(shí)主要靠的是耗盡區(qū)承受,耗盡區(qū)內(nèi)的電場(chǎng)大小、耗盡區(qū)擴(kuò)展的寬度的面積。
常規(guī)VDSMO , P body濃度要大于N EPI ,大家也應(yīng)該清楚，PN結(jié)耗盡區(qū)主要向低參雜一側(cè)擴(kuò)散,所以此結(jié)構(gòu)下,P body區(qū)域一側(cè),耗盡區(qū)擴(kuò)展很小,基本對(duì)承壓沒(méi)有多大貢獻(xiàn),承壓主要是P body- -NEPI在N型的一側(cè)區(qū)域,這個(gè)區(qū)域的電場(chǎng)強(qiáng)度是逐漸變化的,越是靠近PN結(jié)面， 電場(chǎng)強(qiáng)度E越大。
對(duì)于COOLMOS結(jié)構(gòu),由于設(shè)置了相對(duì)Pbody濃度低一些的Pregion區(qū)域,所以P區(qū)一側(cè)的耗盡區(qū)會(huì)大大擴(kuò)展，并且這個(gè)區(qū)域深入EPI中,造成了PN結(jié)兩側(cè)都能承受大的電壓,換句話(huà)說(shuō),就是把峰值電場(chǎng)Ec由靠近器件表面,向器件內(nèi)部深入的區(qū)域移動(dòng)了。
1.通態(tài)阻抗小, 通態(tài)損耗小。
由于SJ-MOS的Rdson遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于VDMOS ,在系統(tǒng)電源類(lèi)產(chǎn)品中SJ-MOS的導(dǎo)通損耗必然較之VDMOS要減少的多。其大大提高了系統(tǒng)產(chǎn)品上面的單體MOSFET的導(dǎo)通損耗,提高了系統(tǒng)產(chǎn)品的效率，SJ-MOS的這個(gè)優(yōu)點(diǎn)在大功率、大電流類(lèi)的電源產(chǎn)品產(chǎn)品上,優(yōu)勢(shì)表現(xiàn)的尤為突出。
2.同等功率規(guī)格 下封裝小,有利于功率密度的提高。
首先,同等電流以及電壓規(guī)格條件下，SJ-MOS的晶源面積要小于VDMOS工藝的晶源面積,這樣作為MOS的廠(chǎng)家,對(duì)于同一規(guī)格的產(chǎn)品,可以封裝出來(lái)體積相對(duì)較小的產(chǎn)品,有利于電源系統(tǒng)功率密度的提高。
其次，由于SJ-MOS的導(dǎo)通損耗的降低從而降低了電源類(lèi)產(chǎn)品的損耗,因?yàn)檫@些損耗都是以熱量的形式散發(fā)出去,我們?cè)趯?shí)際中往往會(huì)增加散熱器來(lái)降低MOS單體的溫升,使其保證在合適的溫度范圍內(nèi)。
由于SJ-MOS可以有效的減少發(fā)熱量,減小了散熱器的體積,對(duì)于-些功率稍低的電源,甚至使用SJ-MOS后可以將散熱器徹底拿掉。有效的提高了系統(tǒng)電源類(lèi)產(chǎn)品的功率密度。
3.柵電荷小 ,對(duì)電路的驅(qū)動(dòng)能力要求降低。
傳統(tǒng)VDMOS的柵電荷相對(duì)較大，我們?cè)趯?shí)際應(yīng)用中經(jīng)常會(huì)遇到由于IC的驅(qū)動(dòng)能力不足造成的溫升問(wèn)題，部分產(chǎn)品在電路設(shè)計(jì)中為了增加IC的驅(qū)動(dòng)能力,確保MOSFET的快速導(dǎo)通,我們不得不增加推挽或其它類(lèi)型的驅(qū)動(dòng)電路,從而增加了電路的復(fù)雜性。SJ-MOS 的柵電容相對(duì)比較小,這樣就可以降低其對(duì)驅(qū)動(dòng)能力的要求,提高了系統(tǒng)產(chǎn)品的可靠性。
4.節(jié)電容小 ,開(kāi)關(guān)速度加快,開(kāi)關(guān)損耗小。
由于SJ-MOS結(jié)構(gòu)的改變,其輸出的節(jié)電容也有較大的降低，從而降低了其導(dǎo)通及關(guān)斷過(guò)程中的損耗。
同時(shí)由于SJ-MOS柵電容也有了響應(yīng)的減小,電容充電時(shí)間變短,大大的提高了SJ-MOS的開(kāi)關(guān)速度。對(duì)于頻率固定的電源來(lái)說(shuō),可以有效的降低其開(kāi)通及關(guān)斷損耗。提高整個(gè)電源系統(tǒng)的效率。這一點(diǎn)就其在頻率相對(duì)較高的電源上，效果更加明顯。
COOLMOS系統(tǒng)應(yīng)用可能會(huì)出現(xiàn)的問(wèn)題
1.EMI可能超標(biāo)。
由于SJ-MOS擁有較小的寄生電容,造就了超級(jí)結(jié)MOSFET具有極快的開(kāi)關(guān)特性。因?yàn)檫@種快速開(kāi)關(guān)特性伴有極高的dv/dt和di/dt ,會(huì)通過(guò)器件和印刷電路板中的寄生元件而影響開(kāi)關(guān)性能。
對(duì)于在現(xiàn)代高頻開(kāi)關(guān)電源來(lái)說(shuō),使用了超級(jí)結(jié)MOSFET，EMI干擾肯定會(huì)變大,對(duì)于本身設(shè)計(jì)余量比較小的電源板,在SJ-MOS在替換VDMOS的過(guò)程中肯定會(huì)出現(xiàn)EMI超標(biāo)的情況。
2.柵極震蕩。
功率MOSFET的引|線(xiàn)電感和寄生電容引起的柵極振鈴,由于超級(jí)結(jié)MOSFET具有較高的開(kāi)關(guān)dv/dt。其震蕩現(xiàn)象會(huì)更加突出。這種震蕩在啟動(dòng)狀態(tài)、過(guò)載狀況和MOSFET并聯(lián)工作時(shí),會(huì)發(fā)生嚴(yán)重問(wèn)題，導(dǎo)致MOSFET失效的可能。
3.抗浪涌及耐壓能力差。
由于SJ-MOS的結(jié)構(gòu)原因,很多廠(chǎng)商的SJ-MOS在實(shí)際應(yīng)用推廣替代VDMOS的過(guò)程中，基本都出現(xiàn)過(guò)浪涌及耐壓測(cè)試不合格的情況。這種情況在通信電源及雷擊要求較高的電源產(chǎn)品上,表現(xiàn)的更為突出。這點(diǎn)必須引|起我們的注意。漏源極電壓尖峰比較大。
4.漏源極電壓尖峰比較大。
反激電路拓?fù)?由于本身電路的原因,變壓器的漏感、散熱器接地、以及電源地線(xiàn)的處理等問(wèn)題,不可避免的要在MOSFET .上產(chǎn)生相應(yīng)的電壓尖峰。
針對(duì)這樣的問(wèn)題，反激電源大多選用RCD SUNBER電路進(jìn)行吸收。由于SJ-MOS擁有較快的開(kāi)關(guān)速度，勢(shì)必會(huì)造成更高的VDS尖峰。如果反壓設(shè)計(jì)余量太小及漏感過(guò)大,更換SJ-MOS后,極有可能出現(xiàn)VD尖峰失效問(wèn)題。
5.紋波噪音差。
由于SJ-MOS擁有較高的dv/dt和di/dt , 必然會(huì)將MOSFET的尖峰通過(guò)變壓器耦合到次級(jí),直接造成輸出的電壓及電流的紋波增加。甚至造成電容的溫升失效問(wèn)題的產(chǎn)生。
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