可控硅開(kāi)關(guān)原理
可控硅開(kāi)關(guān)又叫晶閘管，是晶體閘流管（Thyristor）的簡(jiǎn)稱，故稱可控硅，它是一種大功率開(kāi)關(guān)型半導(dǎo)體器件，在電路中用文字符號(hào)為“V”、“VT”表示（舊標(biāo)準(zhǔn)中用字母“SCR”表示）。
可控硅開(kāi)關(guān)也即是俗稱無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)丶用雙向可控硅丶或者單向可控硅為開(kāi)關(guān)器件，具有開(kāi)關(guān)速度快丶帶負(fù)載能力強(qiáng)，功耗小，無(wú)噪聲等特點(diǎn)。廣泛應(yīng)用于各種自動(dòng)化控制電路中。
可控硅開(kāi)關(guān)的工作原理如下：
（1）導(dǎo)通
柵極懸空時(shí)，BG1和BG2截止，沒(méi)有電流流過(guò)負(fù)載電阻RL。
柵極輸入一個(gè)正脈沖電壓（注入觸發(fā)電流Ig）時(shí)，BG2導(dǎo)通，VCE（BG2）下降，VBE（BG1）升高。
正反饋過(guò)程：
Ig↑→Ic2↑→Ia↑→Ic1↑→Ig↑ 使BG1和BG2進(jìn)入飽和導(dǎo)通狀態(tài)。
電路很快從截止?fàn)顟B(tài)進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)。
由于正反饋的作用柵極Ig沒(méi)有觸發(fā)將保持導(dǎo)通狀態(tài)不變。
（2）截止
陽(yáng)極—陰極加上反向電壓
BG1和BG2截止。
加大負(fù)載電阻RL使電流減少BG1和BG2的基電流也將減少。
當(dāng)減少到某一個(gè)值時(shí)由于電路的正反饋?zhàn)饔?，電路翻轉(zhuǎn)為截止?fàn)顟B(tài)。
這個(gè)電流為維持電流IH
可控硅開(kāi)關(guān)的分類
按關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式分類
可控硅按其關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆導(dǎo)可控硅、門極關(guān)斷可控硅（GTO）、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種。
按引腳和極性分類
可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅。
按封裝形式分類
可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型。其中，金屬封裝可控硅又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種；塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。
按電流容量分類
可控硅按電流容量可分為大功率可控硅、中功率可控硅和小功率可控硅三種。通常，大功率可控硅多采用金屬殼封裝，而中、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝。
按關(guān)斷速度分類
可控硅按其關(guān)斷速度可分為普通可控硅和高頻（快速）可控硅。
可控硅開(kāi)關(guān)應(yīng)用
可控硅是可控硅整流元件的簡(jiǎn)稱，是一種具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。
實(shí)際上，可控硅的功用不僅是整流，它還可以用作無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)以快速接通或切斷電路，實(shí)現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變，將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電，等等。
可控硅和其它半導(dǎo)體器件一樣，其有體積小、效率高、穩(wěn)定性好、工作可靠等優(yōu)點(diǎn)。它的出現(xiàn)，使半導(dǎo)體技術(shù)從弱電領(lǐng)域進(jìn)入了強(qiáng)電領(lǐng)域，成為工業(yè)、農(nóng)業(yè)、交通運(yùn)輸、軍事科研以至商業(yè)、民用電器等方面爭(zhēng)相采用的元件。
可控硅器件是一種非常重要的功率器件，可用來(lái)作高電壓和高電流的控制?？煽毓杵骷饕迷陂_(kāi)關(guān)方面，使器件從關(guān)閉或是阻斷的狀態(tài)轉(zhuǎn)換為開(kāi)啟或是導(dǎo)通的狀態(tài)，反之亦然。
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