4N65場效應(yīng)管參數(shù),4N65參數(shù)規(guī)格書代換
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4N65/TO-220F參數(shù)封裝:點擊查看
4N65封裝有TO-220/TO-220F/TO-252
Drain-Source Voltage 漏源電壓Vds:650V
Gate-Source Voltage 柵源電壓Vgs:±30V
Continuous Drain Current 漏極電流Id Tc=25℃:4A
Continuous Drain Current 漏極電流Id Tc=100℃:2.7A
Power Dissipation 功率損耗Pd:50W
Static Drain-Source On-Resistance 導通電阻ID=2.0A,VGS=10V:2.5Ω
Junction and Storage Temperature Range 溫度范圍:-55~+150℃
4N65場效應(yīng)管/TO-220封裝尺寸:
4N65場效應(yīng)管/TO-220F封裝尺寸:
4N65場效應(yīng)管/TO-252封裝尺寸:
聯(lián)系號碼:18923864027(同微信)
QQ:709211280
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