p-n結的開關速度：
p-n結具有很好的單向導電性，因此，它本身就是一個很好的電流開關——正向電流很大、反向電流很小。由于通過理想p-n結的電流（正向電流和反向電流）基本上都是少數(shù)載流子的擴散電流，所以p-n結在開、關時其正向和反向電流大小的變化，將主要決定于p-n結兩邊擴散區(qū)中存儲的少數(shù)載流子濃度梯度的變化。
p-n結的開關速度即由開關時間來表征，而開關時間包括有開啟時間（上升時間）和關斷時間（反向恢復時間）兩個部分。
當p-n結由反偏轉換到正偏（即開啟）時，由于首先要對p-n結充電，則立即就有較大的電流通過，然后電壓再逐漸上升、并增大到正偏電壓，從而電流開通所需要的時間幾乎為0，這就是說，p-n結的開啟時間（上升時間）可以忽略。但是當在導通的p-n結上突然加上反向電壓時，它卻不會立刻就關斷——電流截止，這是由于事先p-n結的兩邊擴散區(qū)中存儲有大量的非平衡少數(shù)載流子（這是p-n結導通的必備條件），在反向電壓加上以后，只有當這些存儲的非平衡少數(shù)載流子逐漸消失之后，p-n結才進入到電流截止的狀態(tài)，所以關斷時間（反向恢復時間）一般是較長的。因此可以說，p-n結的開關時間主要就是反向恢復時間。
實際上，p-n結的關斷過程包含著電流變化規(guī)律完全不同的兩個階段：首先是反向電流恒定的階段（相應的時間稱為存儲時間），然后是反向電流衰減到0的階段（相應的時間稱為下降時間）。因此有：
[開關時間]≈[反向恢復時間] = (存儲時間)+(下降時間)
在存儲時間過程中，擴散區(qū)中存儲的非平衡少數(shù)載流子逐漸減少（由于反向電壓的抽出作用以及少數(shù)載流子的擴散與復合作用所致），但是在這個少數(shù)載流子數(shù)量不斷減小的過程中，卻能夠保持少數(shù)載流子反向濃度分布的梯度不變，從而可以保持關斷時的反向擴散電流恒定。當擴散區(qū)中存儲的非平衡少數(shù)載流子數(shù)量減少到再也不能維持恒定的反向濃度梯度時，就進入到了下降時間的過程，這時將進一步通過擴散與復合，使非平衡少數(shù)載流子濃度梯度不斷減小，存儲的非平衡少數(shù)載流子數(shù)量也不斷減少，相應地反向電流也不斷降低、直至為0——截止。下降時間過程將造成反向電流有一個拖尾。
為了提高開關速度，就應該減短存儲時間和下降時間；采取的主要措施就是：
（1）減少非平衡少數(shù)載流子的存儲數(shù)量；
（2）加快所存儲的少數(shù)載流子的消失過程。從器件本身來說，提高開關速度的主要措施是減短擴散區(qū)中少數(shù)載流子的壽命，其次是減小p-n結的面積和減短兩邊擴散區(qū)的長度（即縮小非平衡少數(shù)載流子的存儲空間）；這些措施可有效地減短存儲時間。
快恢復二極管（Fast-Recovary Diode）：
這是一種p-n結超高速開關二極管。實際上，它是通過在p-n結中合理地摻入適當?shù)膹秃现行碾s質，來獲得很短的反向恢復時間的。在制作快恢復二極管時，所采用的Si材料的少數(shù)載流子壽命一般也都是很短的（為0.5～5ns）。
如果采用直接帶隙半導體（例如GaAs）來制作二極管，因為這類半導體中載流子的壽命要比Si中的短得多（因為是直接復合之故），所以能夠得到反向恢復時間遠小于Si/p-n結二極管的快恢復二極管（GaAs/p-n結二極管的反向恢復時間≤0.1ns）。當然，如果用Schottky二極管來作為開關，那么速度必然很高，因為它本身就是一種多數(shù)載流子器件，不存在少數(shù)載流子的存儲問題，所以其反向恢復時間幾乎為0.
電荷存儲二極管（Charge-Storage Diode）：
這是與快恢復二極管在性能上恰恰相反的一種p-n結開關二極管。電荷存儲二極管的反向恢復時間（特別是存儲時間）相對較長，這就意味著，在導通時其中存儲有數(shù)量較多的非平衡載流子電荷。
階躍恢復二極管（Step-Recovery Diode）：
這是存儲時間較長、下降時間非常短（ps皮秒數(shù)量級）的一種電荷存儲二極管；它在關斷時的電流波形是陡峭（階躍式）變化的，所以特稱為階躍恢復二極管。
為了實現(xiàn)p-n結二極管的下降時間≈0，可在擴散區(qū)中設置由勢壘區(qū)指向擴散區(qū)的內建電場來達到。因為這種方向的內建電場雖然對于少數(shù)載流子的正向擴散具有加速作用，但是對于反向的擴散卻具有阻擋作用，即在p-n結關斷時具有拉住少數(shù)載流子、不讓它們流入勢壘區(qū)的作用；這樣一來，在全部存儲的少數(shù)載流子消失之前，在勢壘區(qū)邊緣處的少數(shù)載流子濃度不可能變?yōu)?，于是就必能得到此處的少數(shù)載流子濃度梯度=0，即反向擴散電流很快下降到0，所以下降時間≈0。
階躍恢復二極管中的內建電場可通過不均勻的摻雜技術來引入。實際上，該二極管在結構上往往就是界面附近處的摻雜濃度分布非常陡峭的p-i-n結（通?？刹捎猛庋蛹夹g來形成）。因為階躍恢復二極管具有這種較為特殊的、與變容二極管相似的雜質濃度分布，所以該二極管也可以看成是一種特殊的變容二極管。
在制作電荷存儲二極管和階躍恢復二極管時所采用的Si，往往是少數(shù)載流子壽命較長的材料（為0.5～5μs，比快恢復二極管的要長約1000倍），用以獲得較多的存儲電荷。
一般，階躍恢復二極管的正向壓降較低，反向擊穿電壓較高（采用p-i-n結構之故）。但由于其瞬態(tài)響應的特殊性（反向電流波形陡峭），因此它是一種具有高度非線性特性的電抗元件，故在電路應用中能夠產(chǎn)生出豐富的諧波分量。從而，階躍恢復二極管可用于倍頻器、高速脈沖整形與發(fā)生器以及高頻諧波發(fā)生器等。在用作倍頻器時，在高達20次倍頻中仍然能夠保持較高的效率，故它是一種優(yōu)良的微波倍頻元件。
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