中國半導體器件型號命名方法
一、 半導體器件型號由五部分（場效應器件、半導體特殊器件、復合管、PIN型管、激光器件的型號命名只有第三、四、五部分）組成。五個部分意義如下：
第一部分：用數(shù)字表示半導體器件有效電極數(shù)目。
2-二極管、3-三極管
第二部分：用漢語拼音字母表示半導體器件的材料和極性。
表示二極管時： A -N型鍺材料、 B -P型鍺材料、 C -N型硅材料、 D -P型硅材料。
表示三極管時： A -PNP型鍺材料、 B -NPN型鍺材料、 C -PNP型硅材料、 D -NPN型硅材料。
第三部分：用漢語拼音字母表示半導體器件的內(nèi)型。
P-普通管、 V-微波管、 W-穩(wěn)壓管、 C-參量管、
Z-整流管、 L-整流堆、 S-隧道管、 N-阻尼管、
U-光電器件、 K-開關管、
X-低頻小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、
G-高頻小功率管（f>3MHz,Pc<1W)、
D-低頻大功率管（f<3MHz,Pc>1W)、
A-高頻大功率管（f>3MHz,Pc>1W)、
T-半導體晶閘管（可控整流器）、 Y-體效應器件、 B-雪崩管、
J-階躍恢復管、 CS-場效應管、 BT-半導體特殊器件、 FH-復合管、
PIN-PIN型管、 JG-激光器件。
第四部分：用數(shù)字表示序號
第五部分：用漢語拼音字母表示規(guī)格號
例如：3DG18表示NPN型硅材料高頻三極管
半導體器件型號命名
日本半導體分立器件型號命名方法
日本生產(chǎn)的半導體分立器件，由五至七部分組成。通常只用到前五個部分，其各部分的符號意義如下：
第一部分：用數(shù)字表示器件有效電極數(shù)目或類型。
0-光電（即光敏）二極管三極管及上述器件的組合管、1-二極管、2三極或具有兩個pn結(jié)的其他器件、3- 具有四個有效電極或具有三個pn結(jié)的其他器件、┄┄依此類推。
第二部分：日本電子工業(yè)協(xié)會JEIA注冊標志。
S-表示已在日本電子工業(yè)協(xié)會JEIA注冊登記的半導體分立器件。
第三部分：用字母表示器件使用材料極性和類型。
A-PNP型高頻管、B-PNP型低頻管、C-NPN型高頻管、D-NPN型低頻管、F-P控制極可控硅、 G-N控制極可控硅、H-N基極單結(jié)晶體管、J-P溝道場效應管、K-N 溝道場效應管、M-雙向可控硅。
第四部分：用數(shù)字表示在日本電子工業(yè)協(xié)會JEIA登記的順序號。
兩位以上的整數(shù)-從“11”開始，表示在日本電子工業(yè)協(xié)會JEIA登記的順序號；不同公司 的性能相同的器件可以使用同一順序號；數(shù)字越大，越是近期產(chǎn)品。
第五部分： 用字母表示同一型號的改進型產(chǎn)品標志。
A、B、C、D、E、F表示這一器件是原型號產(chǎn)品的改進產(chǎn)品。
半導體器件型號命名
美國半導體分立器件型號命名方法
美國晶體管或其他半導體器件的命名法較混亂。美國電子工業(yè)協(xié)會半導體分立器件命名方法如下：
第一部分：用符號表示器件用途的類型。
JAN-軍級、JANTX-特軍級、JANTXV-超特軍級、JANS-宇航級、（無）-非軍用品。
第二部分：用數(shù)字表示pn結(jié)數(shù)目。
1-二極管、2=三極管、3-三個pn結(jié)器件、n-n個pn結(jié)器件。
第三部分：美國電子工業(yè)協(xié)會（EIA）注冊標志。
N-該器件已在美國電子工業(yè)協(xié)會（EIA）注冊登記。
第四部分：美國電子工業(yè)協(xié)會登記順序號。
多位數(shù)字-該器件在美國電子工業(yè)協(xié)會登記的順序號。
第五部分：用字母表示器件分檔。
A、B、C、D、┄┄同一型號器件的不同檔別。
如：JAN2N3251A表示PNP硅高頻小功率開關三極管，JAN-軍 級、2-三極管、N-EIA 注冊標志、3251-EIA登記順序號、A-2N3251A檔。
國際電子聯(lián)合會半導體器件型號命名方法
德國、法國、意大利、荷蘭、比利時等歐洲國家以及匈牙利、羅馬尼亞、南斯拉夫、波蘭等東歐國家，大都采用國際電子聯(lián)合會半導體分立器件型號命名方法。這種命名方法由四個基本部分組成，各部分的符號及意義如下：
第一部分：用字母表示器件使用的材料。
A-器件使用材料的禁帶寬度Eg=0.6~1.0eV 如鍺、
B-器件使用材料的Eg=1.0~1.3eV 如硅、
C-器件使用材料的Eg%26gt;1.3eV 如砷化鎵、
D-器件使用材料的Eg%26lt;0.6eV 如銻化銦、
E-器件使用復合材料及光電池使用的材料。
第二部分：用字母表示器件的類型及主要特征。
A-檢波開關混頻二極管、
B-變?nèi)荻O管、
C-低頻小功率三極管、
D-低頻大功率三極管、
E-隧道二極管、
F-高頻小功率三極管、
G-復合器件及其他器件、
H-磁敏二極管、
K-開放磁路中的霍爾元件、
L-高頻大功率三極管、
M-封閉磁路中的霍爾元件、
P-光敏 器件、
Q-發(fā)光器件、
R-小功率晶閘管、
S-小功率開關管、
T-大功率晶閘管、
U-大功率開關管、
X-倍增二極管、
Y-整流二極管、
Z-穩(wěn)壓二極管。
第三部分：用數(shù)字或字母加數(shù)字表示登記號。
三位數(shù)字-代表通用半導體器件的登記序號、一個字母加二位數(shù)字-表示專用半導體器件的登記序號。
第四部分：用字母對同一類型號器件進行分檔。A、B、C、D、E┄┄表示同一型號的器件按某一參數(shù)進行分檔的標志。
除四個基本部分外，有時還加后綴，以區(qū)別特性或進一步分類。常見后綴如下：
1、穩(wěn)壓二極管型號的后綴。其后綴的第一部分是一個字母，表示穩(wěn)定電壓值的容許誤差范圍，字母A、B、C、D、E分別表示容許誤差 為±1%、±2%、±5%、±10%、±15%；其后綴第二部分是數(shù)字，表示標稱穩(wěn)定電壓的整數(shù)數(shù)值；后綴的第三部分是字母V，代表小數(shù)點，字母V之后的 數(shù)字為穩(wěn)壓管標稱穩(wěn)定電壓的小數(shù)值。
2、整流二極管后綴是數(shù)字，表示器件的最大反向峰值耐壓值，單位是伏特。
3、晶閘管型號的后綴也是數(shù)字，通常標出最大反向峰值耐壓值和最大反向關斷電壓中數(shù)值較小的那個電壓值。 如：BDX51-表示NPN硅低頻大功率三極管，AF239S-表示PNP鍺高頻小功率三極管。
半導體器件型號命名
歐洲早期半導體分立器件型號命名法
歐洲有些國家，如德國、荷蘭采用如下命名方法。
第一部分：O-表示半導體器件
第二部分：A-二極管、C-三極管、AP-光電二極管、CP-光電三極管、AZ-穩(wěn)壓管、RP-光電器件。
第三部分：多位數(shù)字-表示器件的登記序號。
第四部分：A、B、C┄┄表示同一型號器件的變型產(chǎn)品。
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