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  • 在實踐中測量IGBT的延遲時間,及根據(jù)測量值計算控制死區(qū)時間
    • 發(fā)布時間:2021-06-30 15:48:34
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    在實踐中測量IGBT的延遲時間,及根據(jù)測量值計算控制死區(qū)時間
    在現(xiàn)代工業(yè)中,采用IGBT器件的電壓源逆變器應(yīng)用越來越多。為了保證可靠的運行,應(yīng)當避免橋臂直通。橋臂直通將產(chǎn)生不必要的額外損耗,甚至引起發(fā)熱失控,結(jié)果可能導(dǎo)致器件和整個逆變器被損壞。
    下圖畫出了IGBT一個橋臂的典型結(jié)構(gòu)。在正常運行時,兩個IGBT將依次開通和關(guān)斷。如果兩個器件同時導(dǎo)通,則電流急劇上升,此時的電流將僅由直流環(huán)路的雜散電感決定。
    IGBT的延遲時間
    圖1 電壓源逆變器的典型結(jié)構(gòu)
    當然, 沒有誰故意使兩個IGBT同時開通,但是由于IGBT并不是理想開關(guān)器件,其開通時間和關(guān)斷時間不是嚴格一致的。為了避免IGBT橋臂直通,通常建議在控制策略中加入所謂的“互鎖延時時間”,或者通常叫做“死區(qū)時間”。這意味著其中一個IGBT要首先關(guān)斷,然后在死區(qū)時間結(jié)束時再開通另外一個IGBT,這樣,就能夠避免由開通時間和關(guān)斷時間不對稱造成的直通現(xiàn)象。
    1. 死區(qū)時間對逆變器工作的影響
    死區(qū)時間一方面可以避免橋臂直通,另一方面也會帶來不利影響。以圖2為例,首先假設(shè)輸出電流按圖示方向流動,而IGBT T1由開通到關(guān)斷,經(jīng)過一小段死區(qū)時間后IGBT T2由關(guān)斷到開通。 在有效死區(qū)時間內(nèi),兩個開關(guān)管都是關(guān)斷的,且續(xù)流二極管D2流過輸出電流。此時負的直流電壓加在輸出側(cè),此時電壓極性符合設(shè)計的要求??紤]另一種情況,T1由關(guān)斷到開通,而T2由開通到關(guān)斷,此時,由于電流還是沿著同一個方向,這一電流在死區(qū)時間依然流過,因此輸出電壓還是為負值,此時電壓極性不是設(shè)計希望得到的。結(jié)論可以總結(jié)如下:在有效死區(qū)時間里,輸出電壓由輸出電流決定,而非控制信號。
    IGBT的延遲時間
    圖2 電壓源逆變器的一個橋臂
    如果我們假設(shè)輸出電流的方向與圖2所示相反,那么當T1由開通到關(guān)斷,而T2由關(guān)斷到開通時,也同樣會出現(xiàn)類似上述情況。因此一般情況下,輸出電壓與輸出電流會隨著死區(qū)時間的加入而失真。如果我們選擇過大的死區(qū)時間,對于感應(yīng)電機的情況,系統(tǒng)將會變得不穩(wěn)定。因此, 仔細計算死區(qū)時間。
    IGBT的延遲時間
    本文主要講述如何在實踐中測量IGBT的延遲時間,以及如何根據(jù)測量值正確地計算控制死區(qū)時間。
    2. 計算合適的死區(qū)時間
    如上所述,選擇死區(qū)時間時,一方面應(yīng)讓它滿足避免橋臂直通的要求,另一方面應(yīng)讓它盡可能地小,以確保電壓源逆變器能正常工作。
    2.1 計算死區(qū)時間的方法
    我們用下列公式計算控制死區(qū)時間:
    其中,
    td_off_max:關(guān)斷延遲時間。
    td_on_min:開通延遲時間。
    tpdd_max:驅(qū)動器傳輸延遲時間。
    tpdd_min:驅(qū)動器傳輸延遲時間。
    1.2:安全裕度。
    在該公式中,項td_off_max-td_on_min為關(guān)斷延遲時間和開通延遲時間之差。這一項主要描述IGBT器件結(jié)合所用的門極電阻的特性。由于上升和下降時間通常比延遲時間短很多,這里就不考慮它們。另一項tpdd_max-tpdd_min為由驅(qū)動器決定的傳輸延遲時間之差(延遲時間不匹配)。該參數(shù)通??稍隍?qū)動器制造商提供的驅(qū)動器數(shù)據(jù)表中查找到。對于基于光耦合器的驅(qū)動器,該參數(shù)值通常很大。
    有時可以用典型的數(shù)據(jù)表值乘以來自現(xiàn)場經(jīng)驗的安全系數(shù)來計算死區(qū)時間,但通常不夠準確。因為IGBT數(shù)據(jù)表只提供標準工況對應(yīng)的典型值,我們有必要獲得特殊驅(qū)動工況對應(yīng)的值。為此,必須進行一系列測量,以獲得合適的延遲時間值,然后計算死區(qū)時間。
    2.2 開關(guān)及延遲時間定義
    按以下方式定義IGBT的開關(guān)時間:
    td_on:從Vge上升10%到Ic上升10%的時間。
    tr:從10% Ic到90% Ic的時間。
    td_off:從90% Vge到90% Ic的時間。
    tf:從90% Ic到10% Ic的時間。
    2.3 IGBT門極電阻及驅(qū)動器輸出阻抗的影響
    門極電阻設(shè)置會顯著地影響開關(guān)延遲時間。一般來說,電阻越大則延遲時間越長。建議在實際應(yīng)用的專用門極電阻條件下測量延遲時間。典型的開關(guān)時間與門極電阻的關(guān)系圖如下圖所示:
    IGBT的延遲時間
    圖4 開關(guān)時間與Rg在25°C時的關(guān)系圖圖5 開關(guān)時間與Rg在125°C時的關(guān)系圖
    IGBT的延遲時間
    所有試驗都是用FP40R12KT3模塊進行的,門極電壓為-15V/+15V,DC link電壓為600V,開關(guān)電流為標稱電流40A
    2.4 其他參數(shù)對延遲時間的影響
    除門極電阻值外,還有其它參數(shù)對延遲時間有顯著影響:
    ? 集電極電流
    ? 門極驅(qū)動供電電壓
    2.4.1 開通延遲時間
    為了估計這一影響,須進行一系列測量。先研究開通延遲時間與電流之間的關(guān)系。結(jié)果如下圖所示:
    IGBT的延遲時間
    圖6 開通延遲時間與開關(guān)電流Ic的關(guān)系圖
    所有試驗采用FP40R12KT3模塊,DC link電壓為600V,門極電阻根據(jù)數(shù)據(jù)表值選擇。
    從以上結(jié)果中可以看出,集電極電流Ic發(fā)生變化時,開通延遲時間幾乎保持不變。-15V/+15V的門極電壓下的開通延遲時間,比0V/+15V的門極電壓條件下要長。但該變化很小,且考慮到額外的安全裕量,因此可以忽略不計。
    2.4.2 關(guān)斷延遲時間
    關(guān)斷延遲時間是計算死區(qū)時間時應(yīng)考慮的重要因素。因為該值幾乎完全決定終計算的死區(qū)時間是多長。所以我們將詳細地研究該延遲時間。
    要想獲得關(guān)斷延遲時間,必須考慮到以下問題:
    1.IGBT器件自身產(chǎn)生的開通延遲時間是多少?
    2.如果IGBT的閾值電壓為數(shù)據(jù)手冊中的值,那么關(guān)斷延遲時間是多少?(這個值反映了模塊間Vth允許的誤差)
    3.驅(qū)動器輸出電平對開關(guān)時間的影響?
    4.雙極晶體管輸出電平的驅(qū)動器有何影響?
    考慮以上變量,我們使用FP40R12KT3和視為理想的驅(qū)動器在實驗室對關(guān)斷延遲時間進行了測試。測試條件為Vdc=600V,Rg=27?。測試結(jié)果如下圖所示:
    IGBT的延遲時間
    關(guān)斷延遲時間與Ic在25°C時的關(guān)系圖關(guān)斷延遲時間與Ic在25°C時的關(guān)系圖
    IGBT的延遲時間
    從測試結(jié)果可知,隨著開關(guān)電流Ic的減小,關(guān)斷延遲時間顯著增加。因此僅僅通過選定門極驅(qū)動電阻來簡單地計算死區(qū)時間是不夠的。在特定的驅(qū)動條件下測量延遲時間,然后再根據(jù)測量值來計算死區(qū)時間是一個更好且更的方法。通常情況下,通過測量1%常規(guī)電流條件下的延遲時間,足以計算需要的死區(qū)時間。
    這里還應(yīng)考慮一個問題,即,采用0V/+15V的門極驅(qū)動電壓時,關(guān)斷延遲時間會增加,而且采用0V/+15V的驅(qū)動電壓時,驅(qū)動器輸出電平對開關(guān)時間的影響會更大。這意味著使用0V/+15V驅(qū)動電壓時,需要特別注意對驅(qū)動器的選擇。另外,集電極電流Ic較小時導(dǎo)致td_off增加的問題也需要考慮。
    3. 如何減小死區(qū)時間
    為了正確計算控制死區(qū)時間,應(yīng)當考慮以下驅(qū)動條件:
    ? 給IGBT施加的門極電壓是多少?
    ? 選擇的門極電阻值是多少?
    ? 驅(qū)動器的輸出電平是什么類型?
    基于這些條件,可以進行延遲時間的測試,然后通過測試結(jié)果,使用公式(1)計算控制死區(qū)時間。由于死區(qū)時間對逆變器的性能有著負面影響,死區(qū)時間需要減小到值。可以采用下列幾種方法:
    ·采用足夠大的驅(qū)動器來給IGBT門極提供峰值灌拉電流。
    ·使用負電壓來加速關(guān)斷。
    ·選擇快速傳遞信號的驅(qū)動器,比如使用基于無磁芯變壓器技術(shù)的驅(qū)動器會好于使用傳統(tǒng)光耦技術(shù)的驅(qū)動器。
    ·如果選用0V/15V的驅(qū)動電壓,那么應(yīng)該考慮使用獨立的Rgon/Ggoff電阻。
    從2.3節(jié)顯示的測量結(jié)果中可以看出,Td_off與門極電阻值有很強的相關(guān)性。如果Rgoff減小,則td_off及死區(qū)時間都會減少。英飛凌建議,在使用0V/15V的門極電壓時,Rgoff值應(yīng)減小至Rgon值的1/3。一種使用獨立的Rgon和Rgoff的電路如下所示:
    IGBT的延遲時間
    門極電壓為0V/15V時建議使用的電路
    R1的值應(yīng)滿足以下關(guān)系:
    從公式中可以看出,要想讓R1為正值,Rgon必須大于2Rgint。但在一些模塊中,這個要求并不可能滿足。這種情況下,R1可以完全忽略。
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