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  • 單片機中的高阻態(tài)知識理解
    • 發(fā)布時間:2021-06-01 17:26:31
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    單片機中的高阻態(tài)知識理解
    在我們剛一開始接觸到51單片機的時候?qū)0口必須加上上拉電阻,否則P0就是高阻態(tài)。
    對這個問題可能感到疑惑,為什么是高阻態(tài)?加上拉電阻?今天針對這一概念進行簡單講解。
    高阻態(tài)
    高阻態(tài)這是一個數(shù)字電路里常見的術(shù)語,指的是電路的一種輸出狀態(tài),既不是高電平也不是低電平。
    如果高阻態(tài)再輸入下一級電路的話,對下級電路無任何影響,和沒接一樣,如果用萬用表測的話有可能是高電平也有可能是低電平,隨它后面接的東西定。
    高阻態(tài)的實質(zhì)
    電路分析時高阻態(tài)可做開路理解,你可以把它看作輸出(輸入)電阻非常大。它的極限可以認為懸空,也就是說理論上高阻態(tài)不是懸空,它是對地或?qū)﹄娫措娮铇O大的狀態(tài)。而實際應(yīng)用上與引腳的懸空幾乎是一樣的。
    高阻態(tài)的意義
    當(dāng)門電路的輸出上拉管導(dǎo)通而下拉管截止時,輸出為高電平,反之就是低電平。如果當(dāng)上拉管和下拉管都截止時,輸出端就相當(dāng)于浮空(沒有電流流動),其電平隨外部電平高低而定,即該門電路放棄對輸出端電路的控制 。
    典型應(yīng)用
    在總線連接的結(jié)構(gòu)上??偩€上掛有多個設(shè)備,設(shè)備于總線以高阻的形式連接。這樣在設(shè)備不占用總線時自動釋放總線,以方便其他設(shè)備獲得總線的使用權(quán)。
    大部分單片機I/O使用時都可以設(shè)置為高阻輸入。高阻輸入可以認為輸入電阻是無窮大的,認為I/O對前級影響極小,而且不產(chǎn)生電流(不衰減),而且在一定程度上也增加了芯片的抗電壓沖擊能力。
    高阻態(tài)常用表示方法:高阻態(tài)常用字母 Z 表示。
    在一個系統(tǒng)中或在一個整體中,我們往往定義了一些參考點,就像我們常常說的海平面,在單片中也是如此,我們無論說是高電平還是低電平都是相對來說的。明確了這一點對這一問題可能容易理解。
    單片機中的高阻態(tài)
    單片機中的高阻態(tài)
    在51單片機,沒有連接上拉電阻的P0口相比有上拉電阻的P1口在I/O口引腳和電源之間相連是通過一對推挽狀態(tài)的FET來實現(xiàn)的,51具體結(jié)構(gòu)如下圖。
    組成推挽結(jié)構(gòu),從理論上講是可以通過調(diào)配管子的參數(shù)輕松實現(xiàn)輸出大電流,提高帶載能力,兩個管子根據(jù)通斷狀態(tài)有四種不同的組合,上下管導(dǎo)通相當(dāng)于把電源短路了,這種情況下在實際電路中絕對不能出現(xiàn)。
    從邏輯電路上來講,上管開-下管關(guān)開時IO與VCC直接相連,IO輸出低電平0,這種結(jié)構(gòu)下如果沒有外接上拉電阻,輸出0就是開漏狀態(tài)(低阻態(tài)),因為I/O引腳是通過一個管子接地的,并不是使用導(dǎo)線直接連接,而一般的MOS在導(dǎo)通狀態(tài)也會有mΩ極的導(dǎo)通電阻。
    到這里就很清楚了,無論是低阻態(tài)還是高阻態(tài)都是相對來說的,把下管子置于截止?fàn)顟B(tài)就可以把GND和I/O口隔離達到開路的狀態(tài),這時候推挽一對管子是截止?fàn)顟B(tài),忽略讀取邏輯的話I/O口引腳相當(dāng)于與單片機內(nèi)部電路開路,考慮到實際MOS截止時會有少許漏電流,就稱作“高阻態(tài)”。
    由于管子PN節(jié)帶來的結(jié)電容的影響,有的資料也會稱作“浮空”,通過I/O口給電容充電需要一定的時間,那么IO引腳處的對地的真實電壓和水面浮標(biāo)隨波飄動類似了,電壓的大小不僅與外界輸入有關(guān)還和時間有關(guān),在高頻情況下這種現(xiàn)象是不能忽略的。
    總之一句話高阻態(tài)是一個相對概念。在使用的時候我們只要按照要求去做,讓我們加上拉我們就加上,都是有一定道理的。
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