MOSFET管的內(nèi)部構(gòu)造中，漏柵源三個極之間存在一個固有的寄生二極管，如圖9.18所示。體二極管的極性能夠阻止反向電壓經(jīng)過MOS管阻T管，其正向電流接受才能和反向額定電壓與MOS目T管的標(biāo)稱值分歧。它的反向恢復(fù)時間比普通的交流電源整流二極管短，比快’恢復(fù)二極管的長。消費(fèi)商數(shù)據(jù)表列出了各種MOSFET管的體二極管的反向恢復(fù)時間 。
體二極管的 N 型 MOSFET 體二極管的 P 型 MOSFET圖 9.18 N 型和 P 型 MOS四T 管中的體二極管 。
關(guān)于 N 溝道 MOSFET 管，二極管阻止 負(fù)的漏據(jù)極間電壓 ，關(guān)于 P 溝道 MOSFET 管，二極管阻止正的漏掘極間電壓由于在漏源極之間普通不會施加反向電壓 （ 關(guān)于 N 型 MOSFET 管，漏極相對源極為負(fù) ： 關(guān)于 P 型 MOSFET 管，漏極相對源極極性為正） ，所以這個寄生二極管對大局部開關(guān)電源拓?fù)涫菦]有什么影響的 。但有一些狀況下也需求 MOSFET 管接受反壓 ，特別 是在如圖 3.1 和圖3.3所示的半橋和全橋拓?fù)渲?。不過在這些拓?fù)渲泻喼倍加幸粋€死區(qū)時間，這個死區(qū)時間是從體 二極管導(dǎo)通的時辰（貯存在變壓器漏感中的能量反應(yīng)到電網(wǎng)時）到它被施加反向電壓的時辰。死區(qū)使正向電流和反向電壓之間有延遲，所以MOSFET管的二極管較弱的反 向恢復(fù)特性是沒什么影響的 。但是，假如一個全新的電路拓?fù)湫枨驧OS因T管承圖9.19當(dāng)必需允許反向電流流過受反向電壓，則必需在漏極串連一個阻斷二極管。由于體MOSFET管時，應(yīng)防止運(yùn)用體二極管。二極管的存在，馬達(dá)驅(qū)動電路或具有電感負(fù)載的電路可能為阻止電流流經(jīng)體二極管（它的反向恢復(fù)特性不好），要附加阻斷二極管DI串聯(lián)到漏極。將反向恢復(fù)特性更好會存在問題。高頻諧振電路拓?fù)?C 13 章） 通常請求開關(guān)管必需能 在接受正向電流以后立刻展受反向電壓 。這時能夠運(yùn)用如的 D2 并聯(lián)在 DI 陽極和 Ql 源極上圖9.19所示的電路 。二極管 Dl 阻止正向電流過 MOSFET管中的體二極管 ，快速反向恢復(fù)二極管 D2 為正向電流提供通路 。
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