首先，我們要清楚MOS管的原理，關(guān)于MOS管詳情這塊在mos管百科里面的《細(xì)說(shuō)MOS管一》和《細(xì)說(shuō)MOS管二》均有詳細(xì)的介紹，如果還不清楚的朋友可以先去了解一下，簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，MOS管屬于電壓控制型半導(dǎo)體元器件，具備輸入電阻高、噪聲低、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒(méi)有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作范圍大燈優(yōu)點(diǎn)。

那么，我們應(yīng)該怎么去選擇合適的MOS管？

首先，我們應(yīng)該先確定要采用N溝道還是P溝道的MOS管，如下圖：

從上圖可以看出N溝道和P溝道的MOS管存在明顯的差異，比如說(shuō)當(dāng)一度MOS管接地，而負(fù)載聯(lián)接到支線電壓上時(shí)，該MOS管就構(gòu)成了高壓側(cè)電門，這時(shí)候就應(yīng)采納N溝道MOS管。反過(guò)來(lái)當(dāng)MOS管聯(lián)接到總線及負(fù)載接地時(shí)，就要用低壓側(cè)開(kāi)關(guān)。一般會(huì)正在某個(gè)拓?fù)渲胁杉{P溝道MOS管；

其次我們將進(jìn)一步深入確定電壓驅(qū)動(dòng)所需要的額外電壓，或者說(shuō)是該機(jī)件能夠接受的最大電壓，如下圖：

如上圖所示，MOS管額外電壓越大，這意味著需要選擇的MOS管VDS要求越大，根據(jù)MOS管能接受的最大電壓進(jìn)行不同量度不同選型這一點(diǎn)尤其重要，當(dāng)然一般情況下，便攜式設(shè)施為20V、FPGA電源為20～30V、85～220VAC使用為450～600V。烜芯微生產(chǎn)的MOS管耐壓威力強(qiáng)，使用范圍廣，深受廣大用戶青眼，如有需求，

當(dāng)額外電壓條件也篩選好后，就要確定MOS管所需要的額外直流電，所謂的額外直流電就是其實(shí)就是MOS負(fù)載正在一切狀況下可以接受的最大直流電。與電壓的狀況類似，確保所選的MOS管能接受某個(gè)額外直流電，即便正在零碎發(fā)生尖峰直流電時(shí)。兩個(gè)思忖的直流電狀況是陸續(xù)形式和脈沖尖峰。正在陸續(xù)導(dǎo)通形式下，MOS管在于穩(wěn)態(tài)，這時(shí)直流電陸續(xù)經(jīng)過(guò)機(jī)件。脈沖尖峰是指有少量電涌（或者尖峰電流）流過(guò)機(jī)件。一旦肯定了該署環(huán)境下的最大直流電，只要間接取舍能接受某個(gè)最大直流電的機(jī)件便可。

選好額外直流電后，還必需打算導(dǎo)通消耗。正在實(shí)踐狀況下，MOS管并沒(méi)有是現(xiàn)實(shí)的機(jī)件，由于正在導(dǎo)熱進(jìn)程中會(huì)有動(dòng)能消耗，這稱之為導(dǎo)通消耗。MOS管正在“導(dǎo)通”時(shí)就像一度可變電阻，由機(jī)件的RDS（ON）所確定，并隨量度而顯著變遷。機(jī)件的功率耗損可由Iload2×RDS（ON）打算，因?yàn)閷?dǎo)回電阻隨量度變遷，因而功率耗損也會(huì)隨之按對(duì)比變遷。對(duì)于MOS管施加的電壓VGS越高，RDS（ON）就會(huì)越?。环粗甊DS（ON）就會(huì)越高。留意RDS（ON）電阻會(huì)隨著直流電細(xì)微下降。對(duì)于于RDS（ON）電阻的各組電氣參數(shù)變遷可正在打造商需要的技能材料表中查到。

接下來(lái)就要判斷的條件就是系統(tǒng)所需要的散熱要求，這種情況下需要考慮兩種沒(méi)有不同的情況，即最壞狀況和真實(shí)狀況。

關(guān)于MOS管散熱這一塊，小編優(yōu)先建議采納對(duì)準(zhǔn)于最壞狀況的處理后果，由于某個(gè)后果需要更大的保險(xiǎn)余量，能確保零碎沒(méi)有會(huì)生效。正在MOS管的材料表上再有一些需求留意的丈量數(shù)據(jù)；機(jī)件的結(jié)溫等于最大條件量度加上熱阻與功率耗散的乘積（結(jié)溫=最大條件量度+［熱阻×功率耗散］）。依據(jù)某個(gè)式子可解出零碎的最大功率耗散，即按界說(shuō)相同于I2×RDS（ON）。咱們已將要經(jīng)過(guò)機(jī)件的最大直流電，能夠打算出沒(méi)有同量度下的RDS（ON）。此外，還要辦好通路板及其MOS管的散熱。

山崩擊穿是指半超導(dǎo)體機(jī)件上的反向電壓超越最大值，并構(gòu)成強(qiáng)磁場(chǎng)使機(jī)件內(nèi)直流電增多。晶片分寸的增多會(huì)進(jìn)步防風(fēng)崩威力，最終進(jìn)步機(jī)件的穩(wěn)重性。因而取舍更大的封裝件能夠無(wú)效預(yù)防山崩。

最后的判斷條件就是MOS管的開(kāi)關(guān)性能，如下圖：

從上圖可以看出，影響MOS管的開(kāi)關(guān)性能因素有很多，最主要的還是電極/漏極、電極/源極及漏極/源極庫(kù)容這三方面的參數(shù)。電容器每次開(kāi)關(guān)過(guò)程度會(huì)進(jìn)行充電，這意味著在電容器會(huì)產(chǎn)生開(kāi)關(guān)損耗，所以MOS管的開(kāi)關(guān)速度就會(huì)降低，從而影響器件的效率，所以在挑選MOS管過(guò)程中還需要判斷計(jì)算出開(kāi)關(guān)過(guò)程中器件的總損耗，要計(jì)算開(kāi)通過(guò)程中的損耗（Eon）和關(guān)閉過(guò)程中的損耗（Eoff）。MOS管開(kāi)關(guān)的總功率可用如下方程表達(dá)：Psw=（Eon+Eoff）×開(kāi)關(guān)頻率。而柵極電荷（Qgd）對(duì)開(kāi)關(guān)性能的影響最大。

綜合而言，要挑選合適的MOS管，要采納N溝道MOS管還是P溝道管MOS、MOS管的額外電壓及額外直流電、器件系統(tǒng)的散熱要求和MOS管的開(kāi)關(guān)性能四大方面來(lái)作出相應(yīng)的判斷。

關(guān)于如何挑選合適的MOS管今天就介紹到這里，希望能幫到大家。
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