在MOSFET的發(fā)展中，超級結(jié)技術(shù)（Superjunction technique）是專為配備600V以上擊穿電壓的高壓功率半導(dǎo)體器件開發(fā)的，并成功用于改善導(dǎo)通電阻<RDS(on)>與擊穿電壓之間的矛盾。
TO-247-4L封裝的超級結(jié)MOSFET
實踐發(fā)現(xiàn)，采用超級結(jié)技術(shù)有助于降低導(dǎo)通電阻<RDS(on)>，并提高MOS管開關(guān)速度，基于該技術(shù)的功率MOSFET已成為高壓開關(guān)轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域的業(yè)界規(guī)范。但是當(dāng)MOS管的開關(guān)速度加快后，一個新的問題出現(xiàn)了，那就是器件封裝中的源級連接電感開始對開關(guān)速度產(chǎn)生不利的影響，而TO-247-4L封裝是解決這一問題的理想解決方案之一。
超級結(jié)技術(shù)
超級結(jié)MOSFET出現(xiàn)之前，高壓器件主要采用平面技術(shù)。超級結(jié)技術(shù)成功案例是功率MOSFET。超級結(jié)提供更低的RDS(on)，具有更少的柵極和和輸出電荷，能在任意給定頻率下保持更高的效率。
然而，高壓快速開關(guān)應(yīng)用中，超級結(jié)會面臨來自AC/DC電源和逆變器方面的挑戰(zhàn)。在從平面向超級結(jié)MOSFET過渡中，設(shè)計工程師需要在尖峰電壓、電磁干擾（EMI）及噪聲方面折中，考慮犧牲開關(guān)速度這個難題，這是超級結(jié)的技術(shù)原理決定的，因為MOS管額定電壓取決于垂直方向的漂移區(qū)的寬度和摻雜參數(shù)。為了提高電壓等級，通常增加漂移區(qū)的寬度同時降低摻雜的濃度。但是這樣會明顯地增加MOS管的導(dǎo)通電阻。對于工作電壓高于600V的MOS管，漂移區(qū)的電阻可占總電阻的95%，甚至更高。
超級結(jié)MOS管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)能夠引導(dǎo)電流流過一個比正常摻雜濃度更高的N區(qū)，等效電阻隨之降低。阻斷之前所形成的高濃度載流子被P區(qū)產(chǎn)生反電荷載流子所代替。在PN區(qū)形成耗盡層，可以用來阻斷一定的電壓。值得注意的是，P區(qū)的載流子對傳輸電流沒有貢獻，只是通過補償高摻雜N區(qū)載流子來改善阻斷電壓。
在技術(shù)上，超級結(jié)MOS管由于其工作原理也被稱為載流子補償MOS管，可以做到不小于900V的耐壓，但是在工程上存在一個難以解決的問題：如何完全平衡P區(qū)和N區(qū)的載流子。如果P區(qū)的載流子無法完全補償N區(qū)的載流子，就無法保證理想的阻斷能力。隨著阻斷電壓的上升，這個平衡就越難實現(xiàn)。
超級結(jié)MOS管也稱載流子補償MOS管
TO-247-4L封裝
如上所述，在DTMOS管芯片提高開關(guān)速度和電流能力后，封裝源極導(dǎo)線電感開始對其開關(guān)性能產(chǎn)生不利影響。在以往的3針TO-247封裝中，柵源電壓（VGS）應(yīng)用于MOSFET芯片后，產(chǎn)生反電勢（VLS = LS*dID/dt），這是源極導(dǎo)線電感（LSource）和漏極電流斜率（dID/dt）的作用。因反電勢電壓引起電壓下降，實際作用于MOSFET芯片后，降低了開關(guān)速度，尤其是開通速度。
TO-247封裝和TO-247-4L封裝外形尺寸比較
如果采用TO-247-4L封裝，柵極驅(qū)動源極端子將電源線電流與柵極驅(qū)動電流相隔離，有利于減少柵源電壓電感的影響。為了減少對驅(qū)動電壓的影響，源極端子MOSFET芯片附近位置外合，與負載端源極導(dǎo)線相分離。針對柵極驅(qū)動源極端子，TO-247-4L封裝使用開爾文連接，減少內(nèi)部源極連接電感，使MOSFET芯片實現(xiàn)高開關(guān)速度，有助于進一步改善高效率中型至大型開關(guān)電源的效率。
仿真技術(shù)分析也顯示，TO-247-4L封裝有助于提高MOSFET芯片的開關(guān)性能，降低內(nèi)部源級連接電感的影響，超級結(jié)MOS管與4引腳TO-247-4L封裝組合是高速應(yīng)用的理想之選。
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