什么是MOS管

mos管是金屬(metal)、氧化物(oxide)、半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)、半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個兩個區(qū)是一樣的，即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對稱的。

TTL是什么

TTL連接線是用于相機(jī)與閃光燈離機(jī)專用的熱靴來相連接線，通常還會把它叫做閃光燈離機(jī)連接線、TTL線、快門連接線、離機(jī)連接線等等，有很多種叫法。

TTL電平的優(yōu)點

TTL電平信號對于計算機(jī)處理器控制的設(shè)備內(nèi)部的數(shù)據(jù)傳輸是很理想的，首先計算機(jī)處理器控制的設(shè)備內(nèi)部的數(shù)據(jù)傳輸對于電源的要求不高以及熱損耗也較低，另外TTL電平信號直接與集成電路連接而不需要價格昂貴的線路驅(qū)動器以及接收器電路；再者，計算機(jī)處理器控制的設(shè)備內(nèi)部的數(shù)據(jù)傳輸是在高速下進(jìn)行的，而TTL接口的操作恰能滿足這個要求。TTL型通信大多數(shù)情況下，是采用并行數(shù)據(jù)傳輸方式，而并行數(shù)據(jù)傳輸對于超過10英尺的距離就不適合了。這是由于可靠性和成本兩面的原因。因為在并行接口中存在著偏相和不對稱的問題，這些問題對可靠性均有影響。

數(shù)字電路中，由TTL電子元器件組成電路使用的電平。電平是個電壓范圍，規(guī)定輸出高電平>2.4V,輸出低電平<0.4V。在室溫下，一般輸出高電平是3.5V，輸出低電平是0.2V。最小輸入高電平和低電平：輸入高電平>=2.0V，輸入低電平<=0.8V，噪聲容限是0.4V。

如何用ttl驅(qū)動mos管

工作頻率和驅(qū)動信號的占空比不是很大，并且VMOS的功率規(guī)格也不是很大時，普通并不需求為VMOS配置特地的驅(qū)動電路。通用的CMOS半導(dǎo)體（互補金屬氧化物品體管邏輯IC）、TTL（晶體管邏輯）集成電路、常見的PWM專用IC的輸出級都能夠直接驅(qū)動VMOS。這種驅(qū)動方式普通適用于驅(qū)動信號的產(chǎn)生及控制電路與VMOS構(gòu)成的功率級電路共地的狀況。

TTL集成電路的邏輯電平為5V，輸出級通常由BJT（雙極性晶體管）組成，信號普通從集電極輸出，這就是常說的“集電極開路輸出”，當(dāng)然，輸出級也有采用MOSFET的，這就是“開漏輸出”。上述開路輸出方式需求外部電路配置偏置電阻，以樹立工作點，限定輸出電流。

通用IC的峰值電流驅(qū)動才能通常都不會超越1A，這是限制其驅(qū)動才能的主要要素。圖中的上拉電阻R3決議了驅(qū)動才能的大小和性能。R4是柵極泄放電阻，作用是在柵極驅(qū)動信號沒有時疾速泄放掉輸入電容的電荷。R4越小越有利于VMOS的疾速關(guān)斷，但是義會增加控制電路的驅(qū)動擔(dān)負(fù)，普通而言，R4的取值不應(yīng)該小于控制電路的輸出阻抗。

在驅(qū)動才能有限的條件下，為了減小引線寄生電感的影響，VMOS間隔控制電路越近越好。為了防止柵極電流對控制電路的影響，圖中的旁路（ Bypass）電容也是引薦要采剛的，普通采用聚酣、CBB、瓷片等無極性電容，容量為0.1~lμF即可。

采用TTL集成電路驅(qū)動MOS另一個需求留意的問題是，工作電壓至少要高于VMOS的開啟電壓VGS（th），而且要保證圖中A點的驅(qū)動電壓高于開啟電壓。用CMOS來驅(qū)動根本上不需求思索這樣的問題，由于此類Ic能夠提供12V左右的信號電平。

TTL和CMOS集成電路自身能夠搭接成振蕩電路，產(chǎn)生方波等信號，因此，除了功用上沒有專用的PWM強(qiáng)大以外（通常的主要區(qū)別是維護(hù)電路），在簡單的應(yīng)用中是很便當(dāng)?shù)摹?/div>