為了構(gòu)成集成電路電阻，可以淀積一層具有阻值的薄膜在硅襯底上，然后運(yùn)用圖形曝光技術(shù)和刻蝕定出其圖樣，也可以在生長于硅襯底上的熱氧化層上開窗，然后寫入（或是渙散）相反導(dǎo)電型雜質(zhì)到晶片內(nèi)，圖14.3閃現(xiàn)運(yùn)用后者方法構(gòu)成的兩個電阻的頂視圖和截面圖，一個是曲折型，另一個是直條型.

首要考慮直條型電阻．在距表面深為х處、平行于表面厚度dχ的p型材料薄膜層的微分電導(dǎo)dG（如B-B截面所示）為式

中w是直條的寬度，L是直條的長度（假定先忽略端點(diǎn)的觸摸面積），μp是窄穴遷移率，p為摻雜的濃度，這個直條型電阻的悉數(shù)寫入?yún)^(qū)的電導(dǎo)為

此處xi是結(jié)深度．假定"，的值（為空穴濃度的函數(shù)）和p(χ)散布是已知的，則由式(2)，可以求得悉數(shù)電導(dǎo)為

此處，一個正方形電阻的電導(dǎo)，也就是當(dāng)L＝w時，G=g．因此，電阻為

此處l/g通常用符號R口定義，稱為薄層電阻（sheet resistance，又稱為方塊電阻）．薄層電阻的單位是Q，但習(xí)慣上以歐／方塊（Ω／口）為單位.

由如圖14.3所示的掩模版定義出不同的幾何圖樣，可同時在一個集成電路中制造出許多不同阻值的電阻．因為對所有電阻而言工藝步驟是相同的，因此將電阻值的大小分成兩部分是很方便的：由離子注入（或是擴(kuò)散）工藝決定薄層電阻(R□)；由圖樣尺寸決定L/W 例．一旦R口已知，電阻值可以由L/W的份額得知，或是由電阻圖樣中的方塊數(shù)目得知（每個方塊的面積為WXW）．端點(diǎn)觸摸面積會添加額定的電阻值至集成電路電阻中，就圖）4.3中類型的電阻，每個端點(diǎn)觸摸對應(yīng)到大概o．65個方塊．對曲折型電阻而言，在曲折處的電場線散布不是均勻地跨過電阻的寬度，而是密布于內(nèi)側(cè)的轉(zhuǎn)角處．因此在曲折處的一個方塊并不精確地等于一個方塊，而是約為o．65個方塊.
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