表14.2列出三種失效形式：
①開路失效.
②漏電流／短路失效.
③特性劣化失效在器件制造中產(chǎn)生緣由.
實踐上要用電學(xué)實驗的方法將器件的失效形式別離開是艱難的.
即便①和②可以別離，①與③，②與③通常是同時發(fā)生的.
外來因素引起的失效
器件置于超越額定值*規(guī)定的運(yùn)用環(huán)境時，會招致劣化、損傷。外來要素能夠羅列如下：
(1)組裝到基板上時：用戶的檢查環(huán)境、保管環(huán)境、靜電(ESD：electrostatic dis-charge)、基板裝置時器件的固定、裝置溫度、清潔劑成分等。
(2)裝置完成后所加的電壓?電流：ESD，插件板實驗，電源動搖，噪聲，信號的反射?耦合，電容成分的充放電，左近電感成分惹起的電動勢等。
外來因素惹起CMOS器件的失效，主要是由過電壓或過電流（浪涌電壓?電流）惹起的。典型的現(xiàn)象是ESD(Electro Static Discharge，靜電放電)）和Latch-up（閂鎖）。
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