一個(gè)二極管在正向偏置條件下運(yùn)行時(shí)，有其耗盡區(qū)收縮到幾乎沒(méi)有。也就是說(shuō)，器件將使用所施加的外部電源電壓來(lái)克服由于在其耗盡區(qū)中存在固定電荷載流子而施加在其上的勢(shì)壘電勢(shì)?，F(xiàn)在，假設(shè)通過(guò)反轉(zhuǎn)連接到二極管端子的極性，一個(gè)反向偏置該電壓。理想情況下，這樣做應(yīng)立即將二極管從ON狀態(tài)轉(zhuǎn)為OFF狀態(tài)。也就是說(shuō)，期望在其正向傳導(dǎo)電流的二極管立即停止導(dǎo)通。
然而，實(shí)際上，這不能體驗(yàn)，因?yàn)橥ㄟ^(guò)二極管的多數(shù)電荷載流子在反轉(zhuǎn)偏置時(shí)不會(huì)立即停止。事實(shí)上，它們?cè)谕Ｖ怪靶枰欢斡邢薜臅r(shí)間，這個(gè)時(shí)間稱(chēng)為二極管的反向恢復(fù)時(shí)間。
在二極管的反向恢復(fù)時(shí)間期間，可以看到將有相當(dāng)大量的電流流過(guò)二極管，但方向相反（圖1中的I rr）。然而，一旦時(shí)間線穿過(guò)二極管的反向恢復(fù)時(shí)間（t rr），其幅度就會(huì)減小并飽和到反向飽和電流的值。圖形上可以將二極管的反向恢復(fù)時(shí)間描述為從反向電流開(kāi)始流過(guò)二極管的瞬間開(kāi)始到達(dá)到零的時(shí)刻（或任何其他預(yù)定義的低電平）的總時(shí)間。 ，說(shuō)25％的我讓rr在圖中），而衰減（T d），達(dá)到其負(fù)最大值（t p）。
二極管反向恢復(fù)特性
這兩個(gè)時(shí)間因子（即t p和t d）的比率稱(chēng)為柔軟度因子。在正常二極管的情況下，與電流達(dá)到其負(fù)峰值（t p）所花費(fèi)的時(shí)間相比，電流衰減（t d）所花費(fèi)的時(shí)間將更短。另一方面，對(duì)于軟恢復(fù)二極管，情況正好相反。也就是說(shuō)，這里，與t p相比，t d將更大。我們可以看出，柔軟因子可以衡量半導(dǎo)體轉(zhuǎn)換期間發(fā)生的損失。這個(gè)比例越大; 開(kāi)關(guān)損耗會(huì)更大。由此可以得出結(jié)論，當(dāng)我們使用軟恢復(fù)二極管時(shí)，半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)所經(jīng)歷的損耗比使用普通二極管時(shí)遇到的損耗更多。
這種反向恢復(fù)現(xiàn)象基本上是在二極管的情況下經(jīng)歷的寄生效應(yīng)，并且被視為取決于硅的摻雜水平及其幾何形狀。而且，即使結(jié)溫，正向電流下降的速率和恰好在反向偏置之前的正向電流的值被施加也被視為影響其值。反向恢復(fù)時(shí)間越長(zhǎng); 二極管較慢，反之亦然。因此，具有較小反向恢復(fù)時(shí)間的二極管是優(yōu)選的，特別是當(dāng)要求具有高開(kāi)關(guān)速度時(shí)。此外，在此時(shí)間間隔期間，將有大量電流回流到電源，從而為二極管提供電力。因此二極管的反向恢復(fù)時(shí)間 是設(shè)計(jì)電源時(shí)應(yīng)考慮的重要設(shè)計(jì)因素
1999年2月：英特爾發(fā)布奔騰III處理器。PentiumIII是一種1×1平方硅，有950萬(wàn)個(gè)晶體管，采用Intel0.25微米工藝技術(shù)制造。
到了這個(gè)時(shí)候，你應(yīng)該明白“1”和“0”只是兩個(gè)電信號(hào)，具體來(lái)說(shuō)是兩個(gè)電壓值，這兩個(gè)電壓可以控制電路的通斷。
這只是一個(gè)簡(jiǎn)化說(shuō)明，實(shí)際上從模電角度分析，導(dǎo)通和截止的要求是兩個(gè)PN節(jié)正向偏置和反向偏置，還要考慮c極電壓，但在實(shí)際的數(shù)字電路中e極電壓和c極電壓一般恒定，要么由電源提供、要么接地，所以我們可以簡(jiǎn)單記為“晶體管電路的通斷就是由b極電壓與恒定的e極電壓比較高低決定”。
普通電路里邊有什么元件，不外是電阻，電容，電感，還有二極管，三極管等晶體管。這些電路最早是使用模擬形式的，主要是處理連續(xù)變化的模擬量的電路，它把模擬量信號(hào)進(jìn)行放大（縮小），對(duì)信號(hào)進(jìn)行一定的運(yùn)算處理，還有震蕩和反饋，調(diào)制電路，濾波，解調(diào)電路等等。應(yīng)該說(shuō)，早期的電路都是模擬電路，特別只有電阻，電容和電感的年代。
這項(xiàng)研究的靈感來(lái)源于著名的“摩爾定律”。摩爾定律是由英特爾創(chuàng)始人之一的戈登摩爾（GordonMoore）于20世紀(jì)60年代提出的理論，它認(rèn)為集成電路上的晶體管數(shù)量每?jī)赡昃蜁?huì)增加一倍。為了遵循這一行業(yè)“黃金法則”，研究人員不斷地嘗試新方法，從而盡可能地將更多的晶體管植入計(jì)算機(jī)微芯片。當(dāng)前最新的趨勢(shì)是將三維晶體管進(jìn)行垂直放置。通過(guò)各種努力，數(shù)以百億計(jì)的晶體管就能最終裝載在指甲蓋大小的微型芯片上了。
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