在完成上述各個設(shè)計步驟的過程中，設(shè)計者運用了三種不同的描繪格式：設(shè)計描繪、物理層描繪和模型/仿真描繪。設(shè)計描繪的格式用來肯定電路；物理層描繪用來定義電路的幾何外形；模型肪真描繪用來對電路停止仿真。設(shè)計者必需在每種描繪格式中都能對設(shè)計停止描繪。例如，模仿集成電路設(shè)計的第一步能夠用設(shè)計描繪格式完成，顯然，幅員設(shè)計階段能夠用物理層描繪格式，仿真階段可采用模型/仿真描繪格式。

模仿集成電路設(shè)計還能夠用分層的觀念來描繪。表1.1-1展現(xiàn)了由器件、電路和系統(tǒng)構(gòu)成的縱向?qū)哟?，橫向分為設(shè)計、物理和模型三個層次。器件級是設(shè)計的最底層。能夠分別用器件性能、幾何圖形和器件模型作為設(shè)計、物理和模型的相應(yīng)描繪。電路級是設(shè)計的較高層，能夠用器件的術(shù)語來表示。電路級的設(shè)計、物理和模型描繪的格式普通為：電壓電流關(guān)系、參數(shù)化的幅員和宏模型。設(shè)計的最高層是系統(tǒng)級——用電路來表示。系統(tǒng)級的設(shè)計、物理和模型描繪的格式為：數(shù)學(xué)或圖形描繪、芯片規(guī)劃規(guī)劃以及行為模型。

本書的組織體系偏重于集成電路設(shè)計的層次化觀念，表1.1-2示出了模仿電路設(shè)計與相應(yīng)各章的對應(yīng)關(guān)系。在器件級，第2章和第3章引見CMOS工藝技術(shù)及模型。為了設(shè)計CMOS模仿集成電路，設(shè)計者必需理解工藝技術(shù)，因而第2章概要地引見了CMOS工藝技術(shù)以及南工藝思索得出的設(shè)計規(guī)則。這些信息關(guān)于設(shè)計者了解工藝的限制和約束是十分重要的。在開端設(shè)計之前，設(shè)計者應(yīng)該曾經(jīng)曉得工藝和器件模型的電參數(shù)。建模在綜合與仿真這兩個步驟中是關(guān)鍵局部，這在第3章中做引見。設(shè)計者還應(yīng)理解實踐器件的模型參數(shù)，以便肯定假定模型參數(shù)能否適宜，理想狀況下設(shè)計者已取得能夠?qū)@些參數(shù)停止丈量的測試芯片。最終，制成后的模型參數(shù)測試可被用來測試完好的電路。器件描繪辦法在附錄B中做了引見。

第4章與第5章主要引見由兩個管子及兩個以上管子構(gòu)成的電路，這類電路稱為簡單電路。在第6章到第8章中引見如何由這些簡單電路設(shè)計更復(fù)雜的電路。最后，在第9章和第10章中給出了由這些復(fù)雜電路設(shè)計的模仿系統(tǒng)。各種設(shè)計層次間的界線有時并不太明白。但是，根本的關(guān)系是有效的，能夠給讀者一個模仿集成電路設(shè)計的框架構(gòu)造概念。
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