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二極管、三極管、MOS管、橋堆

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  • mos管與三級管區(qū)別-MOS管場效應管與三級管應用區(qū)別比較
    • 發(fā)布時間:2019-09-19 14:46:57
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    mos管和三級管區(qū)別
    1、三極管用電流控制,MOS管屬于電壓控制。
    2、成本問題:三極管便宜,MOS管貴。
    3、功耗問題:三極管損耗大。
    4、驅動能力:MOS管常用來電源開關,以及大電流地方開關電路。
    MOS管用于高頻高速電路,大電流場合,以及對基極或漏極控制電流比較敏感的地方。
    MOS管不僅可以做開關電路,也可以做模擬放大,因為柵極電壓在一定范圍內的變化會引起源漏間導通電阻的變化。
    二者的主要區(qū)別就是:雙極型管是電流控制器件(通過基極較小的電流控制較大的集電極電流),MOS管是電壓控制器件(通過柵極電壓控制源漏間導通電阻)。
    一般來說低成本場合,普通應用的先考慮用三極管,不行的話考慮MOS管
    實際上說電流控制慢,電壓控制快這種理解是不對的。要真正理解得了解雙極晶體管和mos晶體管的工作方式才能明白。三極管是靠載流子的運動來工作的,以npn管射極跟隨器為例,當基極加不加電壓時,基區(qū)和發(fā)射區(qū)組成的pn結為阻止多子(基區(qū)為空穴,發(fā)射區(qū)為電子)的擴散運動,在此pn結處會感應出由發(fā)射區(qū)指向基區(qū)的靜電場(即內建電場),當基極外加正電壓的指向為基區(qū)指向發(fā)射區(qū),當基極外加電壓產生的電場大于內建電場時,基區(qū)的載流子(電子)才有可能從基區(qū)流向發(fā)射區(qū),此電壓的最小值即pn結的正向導通電壓(工程上一般認為0.7v)。但此時每個pn結的兩側都會有電荷存在,此時如果集電極-發(fā)射極加正電壓,在電場作用下,發(fā)射區(qū)的電子往基區(qū)運動(實際上都是電子的反方向運動),由于基區(qū)寬度很小,電子很容易越過基區(qū)到達集電區(qū),并與此處的PN的空穴復合(靠近集電極),為維持平衡,在正電場的作用下集電區(qū)的電子加速外集電極運動,而空穴則為pn結處運動,此過程類似一個雪崩過程。集電極的電子通過電源回到發(fā)射極,這就是晶體管的工作原理。三極管工作時,兩個pn結都會感應出電荷,當做開關管處于導通狀態(tài)時,三極管處于飽和狀態(tài),如果這時三極管截至,pn結感應的電荷要恢復到平衡狀態(tài),這個過程需要時間。而mos三極管工作方式不同,沒有這個恢復時間,因此可以用作高速開關管。
    三級管和mos管應用區(qū)別
    (1)場效應管是電壓控制元件,而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下,應選用場效應管;而在信號電壓較低,又允許從信號源取較多電流的條件下,應選用晶體管。
    (2)場效應管是利用多數載流子導電,所以稱之為單極型器件,而晶體管是即有多數載流子,也利用少數載流子導電。被稱之為雙極型器件。
    (3)有些場效應管的源極和漏極可以互換使用,柵壓也可正可負,靈活性比晶體管好。
    (4)場效應管能在很小電流和很低電壓的條件下工作,而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應管集成在一塊硅片上,因此場效應管在大規(guī)模集成電路中得到了廣泛的應用。
    (5)場效應晶體管具有較高輸入阻抗和低噪聲等優(yōu)點,因而也被廣泛應用于各種電子設備中。尤其用場效管做整個電子設備的輸入級,可以獲得一般晶體管很難達到的性能。
    (6)場效應管分成結型和絕緣柵型兩大類,其控制原理都是一樣的
    其他比較:
    1、三極管是雙極型管子,即管子工作時內部由空穴和自由電子兩種載流子參與。
    場效應管是單極型管子,即管子工作時要么只有空穴,要么只有自由電子參與導電,只有一種載流子
    2、三極管屬于電流控制器件,有輸入電流才會有輸出電流  
    場效應管屬于電壓控制器件,沒有輸入電流也會有輸出電流
    3、三極管輸入阻抗小,場效應管輸入阻抗大
    4、有些場效應管源極和漏極可以互換,三極管集電極和發(fā)射極不可以互換
    5、場效應管的頻率特性不如三極管
    6、場效應管的噪聲系數小,適用于低噪聲放大器的前置級
    7、如果希望信號源電流小應該選用場效應管,反之則選用三極管更為合適
    場效應管的優(yōu)勢
    (1)場效應管是電壓控制器件,它通過VGS來控制ID;
    (2)場效應管的輸入端電流極小,因此它的輸入電阻很大。
    (3)它是利用多數載流子導電,因此它的溫度穩(wěn)定性較好;
    (4)它組成的放大電路的電壓放大系數要小于三極管組成放大電路的電壓放大系數;
    (5)場效應管的抗輻射能力強;
    (6)由于不存在雜亂運動的少子擴散引起的散粒噪聲,所以噪聲低。
    mos管和三級管區(qū)別
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