場效應(yīng)管是在三極管的基礎(chǔ)上而開發(fā)出來的。三極管通過電流的大小控制輸出，輸入要消耗功率。場效應(yīng)管是通過輸入電壓控制輸出，不消耗功率。場效應(yīng)管和三極管的區(qū)別是電壓和電流控制，但這都是相對的。電壓控制的也需要電流，電流控制的也需要電壓，只是相對要小而已。就其性能而言，場效應(yīng)管要明顯優(yōu)于普通三極管，不管是頻率還是散熱要求，只要電路設(shè)計合理，采用場效應(yīng)管會明顯提升整體性能。

1、三極管是雙極型管子，即管子工作時內(nèi)部由空穴和自由電子兩種載流子參與。場效應(yīng)管是單極型管子，即管子工作時要么只有空穴，要么只有自由電子參與導電，只有一種載流子；

2、三極管屬于電流控制器件，有輸入電流才會有輸出電流； 場效應(yīng)管屬于電壓控制器件，沒有輸入電流也會有輸出電流；

3、三極管輸入阻抗小，場效應(yīng)管輸入阻抗大；

4、有些場效應(yīng)管源極和漏極可以互換，三極管集電極和發(fā)射極不可以互換；

5、場效應(yīng)管的頻率特性不如三極管；

6、場效應(yīng)管的噪聲系數(shù)小，適用于低噪聲放大器的前置級；

7、如果希望信號源電流小應(yīng)該選用場效應(yīng)管，反之則選用三極管更為合適。

場效應(yīng)管是場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor，F(xiàn)ET）的簡稱。它屬于電壓控制型半導體器件，具有輸入電阻高、噪聲小、功耗低、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)?、受溫度和輻射影響小等?yōu)點，特別適用于高靈敏度和低噪聲的電路，現(xiàn)已成為普通晶體管的強大競爭者。普通晶體管（三極管）是一種電流控制元件，工作時，多數(shù)載流子和少數(shù)載流子都參與運行，所以被稱為雙極型晶體管；而場效應(yīng)管（FET）是一種電壓控制器件（改變其柵源電壓就可以改變其漏極電流），工作時，只有一種載流子參與導電，因此它是單極型晶體管。場效應(yīng)管和三極管一樣都能實現(xiàn)信號的控制和放大，但由于他們構(gòu)造和工作原理截然不同，所以二者的差異很大。在某些特殊應(yīng)用方面，場效應(yīng)管優(yōu)于三極管，是三極管無法替代的，三極管與場效應(yīng)管區(qū)別見下表。

場效應(yīng)管是電壓控制元件。而三極管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下，應(yīng)選用場效應(yīng)管。而在信號源電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下，應(yīng)用三極管。場效應(yīng)管靠多子導電，管中運動的只是一種極性的載流子；三極管既用多子，又利用少子。由于多子濃度不易受外因的影響，因此在環(huán)境變化較強烈的場合，采用場效應(yīng)管比較合適。場效應(yīng)管的輸入電阻高，適用于高輸入電阻的場合。場效應(yīng)管的噪聲系數(shù)小，適用于低噪聲放大器的前置級。

場效應(yīng)管和雙極型三極管的比較

1、普通三極管參與導電的，既有多數(shù)載流子，又有少數(shù)載流子，故稱為雙極型三極管；而在場效應(yīng)管中只是多子參與導電，故又稱為單極型三極管。因少子濃度受溫度、輻射等因素影響較大，所以場效應(yīng)管比三極管的溫度穩(wěn)定性好、抗輻射能力強、噪聲系數(shù)很小。在環(huán)境條件（溫度等）變化很大的情況下應(yīng)選用場效應(yīng)管。

2、三極管是電流控制器件，通過控制基極電流到達控制輸出電流的目的。因此，基極總有一定的電流，故三極管的輸人電阻較低；場效應(yīng)管是電壓控制器件，其輸出電流決定于柵源極之間的電壓，柵極基本上不取電流，因此，它的輸入電阻很高，可達109～1014Ω。高輸入電阻是場效應(yīng)管的突出優(yōu)點。

3、場效應(yīng)管的漏極和源極可以互換（某些），耗盡型絕緣柵管的柵極電壓可正可負，靈活性比三極管強。但要注意，分立的場效應(yīng)管，有時已經(jīng)將襯底和源極在管內(nèi)短接，源極和漏極就不能互換使用了。

4、場效應(yīng)管和三極管都可以用于放大或作可控開關(guān)。但場效應(yīng)管還可以作為壓控電阻使用，可以在微電流、低電壓條件下工作，具有功耗低，熱穩(wěn)定性好，容易解決散熱問題，工作電源電壓范圍寬等優(yōu)點，且制作工藝簡單，易于集成化生產(chǎn)，因此在目前的大規(guī)模、超大規(guī)模集成電路中，MOS管占主要地位。

5、MOS管具有很低的級間反饋電容，一般為5—10pF，而三極管的集電結(jié)電容一般為20pF左右。

6、場效應(yīng)管組成的放大電路的電壓放大系數(shù)要小于三極管組成放大電路的電壓放大系數(shù)。

7、由于MOS觀的柵源極之間的絕緣層很薄，極間電容很小，而柵源極之間電阻又很大，帶電物體靠近柵極時，柵極上感應(yīng)少量電荷產(chǎn)生很高的電壓，就很難放掉，以至于柵源極之間的絕緣層擊穿，造成永久性損壞。因此管子存放時，應(yīng)使柵極與源極短接，避免柵極懸空。尤其是焊接MOS管時，電烙鐵外殼要良好接地。

8、BJT是利用小電流的變化控制大電流的變化；JFET是利用PN結(jié)反向電壓對耗盡層厚度的控制，來改變導電溝道的寬窄，從而控制漏極電流的大??；MOSEFET是利用柵源電壓的大小，來改變半導體表面感生電荷的多少，從而控制漏極電流的大小。

9、場效應(yīng)管的噪聲系數(shù)很小，在低噪聲放大電路的輸入級及要求信噪比較高的電路中要選用場效應(yīng)管。

10、三極管導通電阻大，場效應(yīng)管導通電阻小，只有幾百毫歐姆，在現(xiàn)在的用電器件上，一般都用場效應(yīng)管做開關(guān)來用，他的效率是比較高的。

11、場效應(yīng)管G極必須有一個對地的放電電阻，不然上電就燒，而三極管基極不需要

12、場效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作,而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應(yīng)管集成在一塊硅片上,因此場效應(yīng)管在大規(guī)模集成電路中得到了廣泛的應(yīng)用。

MOS器件保護措施

1、MOS器件出廠時通常裝在黑色的導電泡沫塑料袋中,切勿自行隨便拿個塑料袋裝。也可用細銅線把各個引腳連接在一起,或用錫紙包裝。

2、取出的MOS器件不能在塑料板上滑動,應(yīng)用金屬盤來盛放待用器件。

3、焊接用的電烙鐵必須良好接地。

4、在焊接前應(yīng)把電路板的電源線與地線短接,再MOS器件焊接完成后在分開。

5、MOS器件各引腳的焊接順序是漏極、源極、柵極。拆機時順序相反。

6、電路板在裝機之前,要用接地的線夾子去碰一下機器的各接線端子,再把電路板接上去。

7、MOS場效應(yīng)晶體管的柵極在允許條件下,最好接入保護二極管。在檢修電路時應(yīng)注意查證原有的保護二極管是否損壞。場效應(yīng)管用雙極性三極管的代替方法

一般說來，雙極性三極管不能直接代替MOS管，這是因為它們的控制特性不一MOS管是電壓控制的器件，而雙極性三極管是電流控制的器件。場效應(yīng)管的控制電路是電壓型的，雙極性三極管不能直接代換場效應(yīng)管的，原驅(qū)動MOS管的電路由于驅(qū)動電流太小，不足于驅(qū)動雙極性三極。要想用原電路驅(qū)動雙極性三極管，必須要在雙極性三極管之前加裝電流放大裝置?；谶@個思想，在雙極性三極管之前加裝電流放大器，把電壓驅(qū)動改為了電流驅(qū)動，即可代換成功。

場效應(yīng)管的作用

1、場效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。

2、場效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。

3、場效應(yīng)管可以用作可變電阻。

4、場效應(yīng)管可以方便地用作恒流源。

5、場效應(yīng)管可以用作電子開關(guān)。

場效應(yīng)管的分類

1、結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）因有兩個PN結(jié)而得名；

2、絕緣柵型場效應(yīng)管（JGFET，也叫金屬-氧化物-半導體場效應(yīng)管MOSFET）則因柵極與其它電極完全絕緣而得名。

3、根據(jù)導電方式的不同,MOSFET又分增強型、耗盡型。所謂增強型是指:當VGS=0時管子是呈截止狀態(tài),加上正確的VGS后,多數(shù)載流子被吸引到柵極,從而“增強”了該區(qū)域的載流子,形成導電溝道。耗盡型則是指,當VGS=0時即形成溝道,加上正確的VGS時,能使多數(shù)載流子流出溝道,因而“耗盡”了載流子,使管子轉(zhuǎn)向截止。
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